三星擴大DRAM產能, 今年資本支出增8%

隨著三星電子大舉擴充DRAM產能, 分析人士預估, 今(2018)年廠商的資本支出有望成長8%, 半導體設備族群前景暢旺.

barron`s.com 12日報導, Keybanc分析師Weston Twigg發表研究報告指出, 今年晶片廠商對設備的資本支出, 有望成長8%, 高於先前他所預估的5%, 需求更有機會增加10%以上, 其中邏輯IC設備的需求相對穩定, 晶圓代工廠雖然上半年有些疲軟, 但下半年應會改善.

Twigg說, 三星似乎正在積極擴充DRAM產能, 估計存儲器的需求會比設備業者一季前預估的還要強勁, DRAM擴產, 3D NAND產能持續上升, 有望讓晶片廠商的資本支出一路增加至今年底. 雖然三星基本上已經停止擴產OLED, 並大幅降低現有OLED產能的利用率, 但應用材料 ( Applied Materials )對此因素的曝險度相對低, 其OLED相關營收僅佔整體的7%.

應用材料12日應聲上漲2.69%, 收56.43美元, 重返60日移動平均線, 並創3月26日收盤高. 半導體蝕刻機台製造商科林研發公司( Lam Research Corp. )同步上漲2.57%, 收206.02美元, 創3月26日以來收盤高. 晶圓檢測設備製造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )也上漲2.33%, 收109.12美元.

台積電 (2330), 三星對先進位程競賽白熱化, 對半導體設備廠商而言, 也會相當有利.

歐系外資4月9日甫發表研究報告指出, 最近有謠言暗示, 台積電可能推延了極紫外光(EUV)微影設備訂單的交期, 但根據實地調查, EUV的需求展望非但並未減弱, 反之還有增溫跡象, 估計歐洲半導體設備業龍頭艾司摩爾(ASML Holding NV)明(2019)年的EUV產能, 應能如期被搶訂一空.

報告直指, 台積電已在4月2日向ASML和日本半導體設備廠Lasertec下達了近10億美元的訂單, 顯示第一季訂購的設備數量應有6-8台. 三星則是對EUV態度最積極的廠商, 據調查, 三星或許會將至少一部份的1y nm DRAM (~1 layer)產能導入EUV, 量產DRAM的時間點, 甚至會比7 奈米晶圓代工/邏輯晶片還要早, 因為三星打算先用風險較低的DRAM試產, 以便在未來大量替7奈米製程導入EUV.

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