三星扩大DRAM产能, 今年资本支出增8%

随着三星电子大举扩充DRAM产能, 分析人士预估, 今(2018)年厂商的资本支出有望成长8%, 半导体设备族群前景畅旺.

barron`s.com 12日报导, Keybanc分析师Weston Twigg发表研究报告指出, 今年芯片厂商对设备的资本支出, 有望成长8%, 高于先前他所预估的5%, 需求更有机会增加10%以上, 其中逻辑IC设备的需求相对稳定, 晶圆代工厂虽然上半年有些疲软, 但下半年应会改善.

Twigg说, 三星似乎正在积极扩充DRAM产能, 估计存储器的需求会比设备业者一季前预估的还要强劲, DRAM扩产, 3D NAND产能持续上升, 有望让芯片厂商的资本支出一路增加至今年底. 虽然三星基本上已经停止扩产OLED, 并大幅降低现有OLED产能的利用率, 但应用材料 ( Applied Materials )对此因素的曝险度相对低, 其OLED相关营收仅占整体的7%.

应用材料12日应声上涨2.69%, 收56.43美元, 重返60日移动平均线, 并创3月26日收盘高. 半导体蚀刻机台制造商科林研发公司( Lam Research Corp. )同步上涨2.57%, 收206.02美元, 创3月26日以来收盘高. 晶圆检测设备制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )也上涨2.33%, 收109.12美元.

台积电 (2330), 三星对先进制程竞赛白热化, 对半导体设备厂商而言, 也会相当有利.

欧系外资4月9日甫发表研究报告指出, 最近有谣言暗示, 台积电可能推延了极紫外光(EUV)微影设备订单的交期, 但根据实地调查, EUV的需求展望非但并未减弱, 反之还有增温迹象, 估计欧洲半导体设备业龙头艾司摩尔(ASML Holding NV)明(2019)年的EUV产能, 应能如期被抢订一空.

报告直指, 台积电已在4月2日向ASML和日本半导体设备厂Lasertec下达了近10亿美元的订单, 显示第一季订购的设备数量应有6-8台. 三星则是对EUV态度最积极的厂商, 据调查, 三星或许会将至少一部份的1y nm DRAM (~1 layer)产能导入EUV, 量产DRAM的时间点, 甚至会比7 奈米晶圆代工/逻辑芯片还要早, 因为三星打算先用风险较低的DRAM试产, 以便在未来大量替7奈米制程导入EUV.

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