據了解, 目前半導體電荷存儲技術主要有兩類, 第一類是易失性存儲, 例如計算機中的記憶體, 掉電後數據會立即消失; 第二類是非易失性存儲, 例如人們常用的隨身碟, 在寫入數據後無需額外能量可保存10年. 前者可在幾納秒左右寫入數據, 第二類電荷存儲技術需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來.
寫入速度比目前隨身碟快10000倍, 數據刷新時間是記憶體技術的156倍, 並且擁有卓越的調控性, 可以實現按照數據有效時間需求設計存儲器結構……經過測試, 複旦大學科研團隊研究人員發現這種基於全二維材料的新型異質結能夠實現全新的第三類存儲特性.
值得一提的是, 此次研發的新型電荷存儲技術, 既滿足了10納秒寫入數據速度, 又實現了按需定製 (10秒-10年) 的可調控數據准非易失特性. 這種全新特性不僅在高速記憶體中可以極大降低存儲功耗, 同時還可以實現數據有效期截止後自然消失, 在特殊應用場景解決了保密性和傳輸的矛盾.
記者了解到, 從技術定義, 結構模型到性能分析的全過程, 這項科學突破均由複旦大學科研團隊獨立完成. 團隊立足本土, 紮根中國大地, 取得了國際上未來存儲技術領域的一項重要科學突破, 並在國際頂級刊物《NatureNanotechnology》 (《自然·納米技術》) 上以長文形式發表.