大聯大品佳集團推出Infineon 1200V碳化矽MOSFET

2018年4月10日, 致力於亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布, 其旗下品佳代理的英飛淩 (Infineon) 推出革命性的1200V SiC MOSFET, 使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平. 它們將有助於電源轉換方案的開發人員節省空間, 減輕重量, 降低散熱要求, 並提高可靠性和降低系統成本.

大聯大品佳代理的英飛淩的這款SiC MOSFET帶來的影響非常顯著. 電源轉換方案的開關頻率可達到目前所用開關頻率的三倍或以上. 還能帶來諸多益處, 如減少磁性元件和系統外殼所用的銅和鋁兩種材料的用量, 便於打造更小, 更輕的系統, 從而減少運輸工作量, 並且更便於安裝. 新解決方案有助於節能的特點由電源轉換設計人員來實現. 這些應用的性能, 效率和系統靈活性也將提升至全面層面.

這款全新的MOSFET融匯了Infineon在SiC領域多年的開發經驗, 基於先進的溝槽半導體工藝, 代表著Infineon CoolSiC產品家族的最新發展. 首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的導通電阻 (RDS(ON)) 額定值為45mΩ. 它們將採用3引腳和4引腳TO-247封裝, 4引腳封裝有一個額外的源極連接端子 (Kelvin) , 作為門極驅動的訊號管腳, 以消除由於源極電感引起的壓降的影響, 這可以進一步降低開關損耗, 特別是在更高開關頻率時.

另外, 大聯大品佳代理的Infineon還推出基於SiC MOSFET技術的1200V 'Easy1B' 半橋和升壓模組. 這些模組採用PressFIT連接, 有良好的熱界面, 低雜散電感和堅固的設計, 每種封裝的模組均有11mΩ和23mΩ的RDS (ON) 額定值選項.

圖示1-大聯大品佳集團力推Infineon 1200V碳化矽MOSFET的主要產品

特色

Infineon的CoolSiC™ MOSFET採用溝槽柵技術, 兼具可靠性與性能優勢, 在動態損耗方面樹立了新標杆, 相比1200V矽 (Si) IGBT低了一個數量級. 該MOSFET完全相容通常用於驅動IGBT的+15 V/-5V電壓. 它們將4V基準閾值額定電壓 (Vth) 與目標應用要求的短路魯棒性和完全可控的dv/dt特性結合起來. 與Si IGBT相比的關鍵優勢包括: 低溫度係數的開關損耗和無閾值電壓的靜態特性.

這些晶體管能像IGBT一樣得到控制, 在發生故障時得以安全關閉, 此外, Infineon碳化矽MOSFET技術可以通過柵極電阻調節來改變開關速度, 因此可以輕鬆優化EMC性能.

圖示2-大聯大品佳集團力推Infineon 1200V碳化矽MOSFET的產品規格

應用

當前針對光伏逆變器, 不間斷電源 (UPS) 或充電/儲能系統等應用的系統改進, 此後可將其範圍擴大到工業變頻器.