大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

2018年4月10日, 致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布, 其旗下品佳代理的英飞凌 (Infineon) 推出革命性的1200V SiC MOSFET, 使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平. 它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间, 减轻重量, 降低散热要求, 并提高可靠性和降低系统成本.

大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著. 电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上. 还能带来诸多益处, 如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量, 便于打造更小, 更轻的系统, 从而减少运输工作量, 并且更便于安装. 新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现. 这些应用的性能, 效率和系统灵活性也将提升至全面层面.

这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验, 基于先进的沟槽半导体工艺, 代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展. 首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻 (RDS(ON)) 额定值为45mΩ. 它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装, 4引脚封装有一个额外的源极连接端子 (Kelvin) , 作为门极驱动的信号管脚, 以消除由于源极电感引起的压降的影响, 这可以进一步降低开关损耗, 特别是在更高开关频率时.

另外, 大联大品佳代理的Infineon还推出基于SiC MOSFET技术的1200V 'Easy1B' 半桥和升压模块. 这些模块采用PressFIT连接, 有良好的热界面, 低杂散电感和坚固的设计, 每种封装的模块均有11mΩ和23mΩ的RDS (ON) 额定值选项.

图示1-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的主要产品

特色

Infineon的CoolSiC™ MOSFET采用沟槽栅技术, 兼具可靠性与性能优势, 在动态损耗方面树立了新标杆, 相比1200V硅 (Si) IGBT低了一个数量级. 该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压. 它们将4V基准阈值额定电压 (Vth) 与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来. 与Si IGBT相比的关键优势包括: 低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性.

这些晶体管能像IGBT一样得到控制, 在发生故障时得以安全关闭, 此外, Infineon碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度, 因此可以轻松优化EMC性能.

图示2-大联大品佳集团力推Infineon 1200V碳化硅MOSFET的产品规格

应用

当前针对光伏逆变器, 不间断电源 (UPS) 或充电/储能系统等应用的系统改进, 此后可将其范围扩大到工业变频器.