1.台股IC設計EPS排名譜瑞矽力傑前三,聯發科第五;
集微網消息, 台灣股市IC設計廠去年每股獲利 (EPS) 排名洗牌, 聯發科退居第5位, 較前年後退一名; 神盾則首度躋身前10名之列, 躍居第8位.
存儲器控制晶片廠群聯去年受惠NAND Flash市場供給吃緊, 價格高漲, 營運表現亮麗, 營收與獲利同創曆史新高紀錄, 每股純益達新台幣29.23元, 蟬聯IC設計業每股獲利王寶座.
高速傳輸晶片廠譜瑞受惠高速產品銷售暢旺, 加上驅動IC與時序控制器搭配銷售策略奏效, 去年營運同樣繳出漂亮成績單, 營收與獲利同創曆史新高, 每股純益25.49元, 躍居IC設計業每股獲利第2位.
電源管理晶片廠矽力傑去年營運順利達成營收成長2成的目標, 獲利也改寫曆史新高, 賺進超過2個股本, 每股純益21.2元, 只是仍被譜瑞-超越, 每股獲利排名居第3位.
聯發科去年因移動平台業務處調整期, 本業獲利銳減57%, 靠著業外處分轉投資匯頂持股, 整體獲利才得以回升, 每股純益15.56元.
只是伺服器管理晶片廠信驊去年受惠雲端伺服器需求升溫, 加上收購博通旗下Emulex伺服器遠端管理晶片Pilot產品線, 營收與獲利同步攀高, 每股純益達15.7元, 超越聯發科, 躍居IC設計業每股獲利第4位, 聯發科則落居第5位, 同時較前年後退一名.
指紋識別晶片廠神盾去年在三星需求強勁, 並成功打進中國大陸市場, 業績呈跳躍式成長, 營收47.31億元, 年增183%, 稅後淨利5.93億元, 年增420%, 每股純益8.5元, 躍居IC設計業每股獲利第8位.
面板驅動IC廠矽創則因智能手機市場去化庫存, 及面板規格轉變影響, 營運中止成長趨勢, 每股純益滑落至7.32元, 並跌出IC設計業每股獲利前10名.
2.元器件漲價蔓延,MOSFET驅動IC首季漲價;
集微網消息, 去年引爆的電子零組件缺貨, 漲價風潮至今不停歇, 今年以來包括MOSFET, 驅動I C 等今年首季均傳出約百分之五到十間漲幅.
去年歐美及中國大陸的MOSFET廠均傳漲價動作, 台廠在穩固訂單的策略下, 遲遲不敢漲, 但由於上遊的矽晶圓去年好幾波漲價, 在成本上漲的壓力下, 今年第一季台灣的MOSFET廠終於傳出平均調漲約百分之五, 只是廠商多低調不願證實.
MOSFET去年初開始就一路缺貨, 主要是過去幾年下遊終端新應用不斷增加, 帶動需求大幅成長, 主要包括人工智慧相關, 延伸到智能家庭, 智能音箱等消費性產品, 加上電動車快速發展, 自駕車的推動, 物聯網 , 雲端中心等, 使得MOSFET需求大增.
MOSFET廠商表示, 隨著新應用的出現, 歐美主力生產MOSFET廠將產能大幅移轉到以高端市場, 且毛利率相對高的人工智慧, 車用等新應用, 使得原本的全球台式電腦, 筆記型電腦及傳統3C等市場的MOSFET供給明顯不足.
在驅動I C 方面, 隨著下遊新應用興起, 已排擠到八英寸晶圓代工廠L C D 驅動I C 的投片量, 業界表示, 由於晶圓代工廠提高八英寸晶圓代工費用, L C D 驅動I C 廠第一季已向面板廠提高I C 報價百分之五至十, 以反映成本上升的壓力.
由於第一季八英寸半導體矽晶圓價格已經調漲, 且八英寸晶圓廠關鍵設備缺貨, 因此晶圓代工廠短期內無法大舉擴增八英寸晶圓代工產能, 預料後市供需仍將吃緊.
3.2017年感測器, 光電器件, 分立器件市場皆創新高, 增長11%;
集微網 編譯/丹陽 2017年, O–S-D(全球光電器件, 感測器/致動器與分立器件)細分市場的總收入增長了11%, 這是自2010年以來的最強增速. 並且, 將繼續受到來自感測器, 執行器, CMOS成像設備, 光感測器, 雷射發射器和功率分立器件的較高需求驅動增長.
2017年, O-S-D細分市場總收入增加了11%, 是過去20年平均年增長率的1.5倍以上, 達到連續第八個創紀錄的高水平, 753億美元. 根據IC Insights最新的 '2018年O-S-D報告' 顯示, 2018年全年銷售增長將有所放緩, 增長降至8%, 達到811億美元.
在2017年, 光電子銷售從2016年罕見的下滑4%, 一舉恢複增長9%, 達到369億美元. 而感測器/執行機構的市場份額連續第二年增長16%, 攀升至138億美元. 而分立器件增長顯著, 同比增長12%, 達到246億美元. 最新的O-S-D報告預測顯示, 2018年光電器件銷售將增長8%, 感測器/制動器增長10%, 而分立器件則增長5%.
2017年至2022年,光電器件複合年增長率(CAGR)將為 7.3%, 2022年市場規模將達524億美元,而感測器/致動器的CAGR收入預計將擴大8.9%,2022年規模達212億美元,分立器件複合年增長年率則為3.1%,2022年規模達287億美元. IC Insights預測在未來五年裡, O-S-D的增長將繼續受到在光纖網路的雷射發射器, 嵌入式攝像頭中的CMOS映像感測器, 映像識別, 機器視覺和汽車應用, 以及智能控制系統中其他感測器和執行器, 物聯網連接應用等領域的強勁需求驅動. 報告稱, 預計到2022年, 在大多數預測年份裡, 手機與電池供電的設備市場增長將帶動功率分立器件 (晶體管與其他分立器件) 增長, 但由於手機市場增速放緩, 世界經濟增長差強人意, 所以分立器件增長勢頭平緩.
在全球半導體銷售總額中, O-S-D產品的總銷售額約佔17%, 而早在2007年, 這一比例不到15%, 1997年則不到13%. 自上世紀90年代中期以來, 由於光電子和感測器的強勁和相對穩定的增長, 總的O-S-D銷售增長超過了更大的IC市場部分. 然而, 這一趨勢最近發生了逆轉, 主要原因是在2017年, DRAM的銷量激增了77%, NAND快閃記憶體的銷量猛增了54%.
2009年半導體行業衰退之後, 2010年強勁的經濟複蘇勢頭使O-S-D銷售出現了37%的大幅增長, 但是2017年才又一次實現O-S-D三種產品銷售額同時創出新高. 此外, IC Insights的報告還顯示, 在2017年, 由MEMS技術製造的感測器和執行器產品的銷售同比增長18%, 達到創紀錄的115億美元.
4.韓媒: 中國擬採購更多美國晶片 韓國晶片行業不容樂觀
據外媒報道, 在全球存儲晶片市場, 韓國公司是難以忽視的統治性力量.
截至去年第四季度, 三星電子和SK海力士在全球DRAM記憶體與NAND快閃記憶體市場的合計份額分別達到了74.7%和49.1%. 此外, 三星電子和SK海力士還佔據了韓國出口額的20%以上.
然而, 韓國半導體行業最近卻遭遇了意想不到的障礙. 據多家外媒報道稱, 中國已經提出, 提高從美國進口半導體晶片的比例, 取代來自韓國和中國台灣的產品.
去年, 中國從韓國進口了價值463億美元的存儲晶片, 佔中國存儲晶片進口額的52.3%. 相較2016年, 中國從韓國進口的存儲晶片總額同比增長了驚人的51.3%.
另一方面, 美國去年向中國售出了價值6.4億美元的半導體, 僅有韓國記憶體行業對華出口額的1.3%. 通過計算可知, 如果中國用美國存儲晶片取代5%的韓國晶片, 韓國將損失23.3億美元. 如果取代10%, 韓國則將損失46.6億美元.
不過, 有專家表示, 中國提高美國存儲晶片進口比例產生的影響有限, 因為韓國是市場上最大的供應商. 即使中國想要從美國的美光科技公司進口更多產品, 由於產能不足, 後者也很難滿足太多訂單. 美光科技也難以立刻提高產能, 因為這通常需要兩到三年時間.
行業高管說: '美光科技可以在一兩年後供應更多產品, 但它們仍然會面臨問題, 因為韓國公司擁有定價權. '
韓國國際貿易協會研究員Je Hyun-jung提出了不同的觀點. 他說: '問題在於, 在美國公司提出投訴後, 美國政府正努力重新大力發展晶片行業. 雖然晶片是免稅產品, 但並不受反傾銷稅影響. 這是韓國公司沒法解決的問題. ' 騰訊科技