【热点】两大陆公司位居台股IC设计EPS排名前三

1.台股IC设计EPS排名谱瑞硅力杰前三,联发科第五;2.元器件涨价蔓延,MOSFET驱动IC首季涨价;3.2017年传感器, 光电器件, 分立器件市场皆创新高, 增长11%;4.韩媒: 中国拟采购更多美国芯片 韩国芯片行业不容乐观

1.台股IC设计EPS排名谱瑞硅力杰前三,联发科第五;

集微网消息, 台湾股市IC设计厂去年每股获利 (EPS) 排名洗牌, 联发科退居第5位, 较前年后退一名; 神盾则首度跻身前10名之列, 跃居第8位.

存储器控制芯片厂群联去年受惠NAND Flash市场供给吃紧, 价格高涨, 营运表现亮丽, 营收与获利同创历史新高纪录, 每股纯益达新台币29.23元, 蝉联IC设计业每股获利王宝座.

高速传输芯片厂谱瑞受惠高速产品销售畅旺, 加上驱动IC与时序控制器搭配销售策略奏效, 去年营运同样缴出漂亮成绩单, 营收与获利同创历史新高, 每股纯益25.49元, 跃居IC设计业每股获利第2位.

电源管理芯片厂硅力杰去年营运顺利达成营收成长2成的目标, 获利也改写历史新高, 赚进超过2个股本, 每股纯益21.2元, 只是仍被谱瑞-超越, 每股获利排名居第3位.

联发科去年因移动平台业务处调整期, 本业获利锐减57%, 靠着业外处分转投资汇顶持股, 整体获利才得以回升, 每股纯益15.56元.

只是服务器管理芯片厂信骅去年受惠云端服务器需求升温, 加上收购博通旗下Emulex服务器远端管理芯片Pilot产品线, 营收与获利同步攀高, 每股纯益达15.7元, 超越联发科, 跃居IC设计业每股获利第4位, 联发科则落居第5位, 同时较前年后退一名.

指纹识别芯片厂神盾去年在三星需求强劲, 并成功打进中国大陆市场, 业绩呈跳跃式成长, 营收47.31亿元, 年增183%, 税后净利5.93亿元, 年增420%, 每股纯益8.5元, 跃居IC设计业每股获利第8位.

面板驱动IC厂硅创则因智能手机市场去化库存, 及面板规格转变影响, 营运中止成长趋势, 每股纯益滑落至7.32元, 并跌出IC设计业每股获利前10名.

2.元器件涨价蔓延,MOSFET驱动IC首季涨价;

集微网消息, 去年引爆的电子零组件缺货, 涨价风潮至今不停歇, 今年以来包括MOSFET, 驱动I C 等今年首季均传出约百分之五到十间涨幅.

去年欧美及中国大陆的MOSFET厂均传涨价动作, 台厂在稳固订单的策略下, 迟迟不敢涨, 但由于上游的硅晶圆去年好几波涨价, 在成本上涨的压力下, 今年第一季台湾的MOSFET厂终于传出平均调涨约百分之五, 只是厂商多低调不愿证实.

MOSFET去年初开始就一路缺货, 主要是过去几年下游终端新应用不断增加, 带动需求大幅成长, 主要包括人工智能相关, 延伸到智能家庭, 智能音箱等消费性产品, 加上电动车快速发展, 自驾车的推动, 物联网 , 云端中心等, 使得MOSFET需求大增.

MOSFET厂商表示, 随着新应用的出现, 欧美主力生产MOSFET厂将产能大幅移转到以高端市场, 且毛利率相对高的人工智能, 车用等新应用, 使得原本的全球台式电脑, 笔记本电脑及传统3C等市场的MOSFET供给明显不足.

在驱动I C 方面, 随着下游新应用兴起, 已排挤到八英寸晶圆代工厂L C D 驱动I C 的投片量, 业界表示, 由于晶圆代工厂提高八英寸晶圆代工费用, L C D 驱动I C 厂第一季已向面板厂提高I C 报价百分之五至十, 以反映成本上升的压力.

由于第一季八英寸半导体硅晶圆价格已经调涨, 且八英寸晶圆厂关键设备缺货, 因此晶圆代工厂短期内无法大举扩增八英寸晶圆代工产能, 预料后市供需仍将吃紧.

3.2017年传感器, 光电器件, 分立器件市场皆创新高, 增长11%;

集微网 编译/丹阳 2017年, O–S-D(全球光电器件, 传感器/致动器与分立器件)细分市场的总收入增长了11%, 这是自2010年以来的最强增速. 并且, 将继续受到来自传感器, 执行器, CMOS成像设备, 光传感器, 激光发射器和功率分立器件的较高需求驱动增长.

2017年, O-S-D细分市场总收入增加了11%, 是过去20年平均年增长率的1.5倍以上, 达到连续第八个创纪录的高水平, 753亿美元. 根据IC Insights最新的 '2018年O-S-D报告' 显示, 2018年全年销售增长将有所放缓, 增长降至8%, 达到811亿美元.

在2017年, 光电子销售从2016年罕见的下滑4%, 一举恢复增长9%, 达到369亿美元. 而传感器/执行机构的市场份额连续第二年增长16%, 攀升至138亿美元. 而分立器件增长显著, 同比增长12%, 达到246亿美元. 最新的O-S-D报告预测显示, 2018年光电器件销售将增长8%, 传感器/制动器增长10%, 而分立器件则增长5%.

2017年至2022年,光电器件复合年增长率(CAGR)将为 7.3%, 2022年市场规模将达524亿美元,而传感器/致动器的CAGR收入预计将扩大8.9%,2022年规模达212亿美元,分立器件复合年增长年率则为3.1%,2022年规模达287亿美元. IC Insights预测在未来五年里, O-S-D的增长将继续受到在光纤网络的激光发射器, 嵌入式摄像头中的CMOS图像传感器, 图像识别, 机器视觉和汽车应用, 以及智能控制系统中其他传感器和执行器, 物联网连接应用等领域的强劲需求驱动. 报告称, 预计到2022年, 在大多数预测年份里, 手机与电池供电的设备市场增长将带动功率分立器件 (晶体管与其他分立器件) 增长, 但由于手机市场增速放缓, 世界经济增长差强人意, 所以分立器件增长势头平缓.

在全球半导体销售总额中, O-S-D产品的总销售额约占17%, 而早在2007年, 这一比例不到15%, 1997年则不到13%. 自上世纪90年代中期以来, 由于光电子和传感器的强劲和相对稳定的增长, 总的O-S-D销售增长超过了更大的IC市场部分. 然而, 这一趋势最近发生了逆转, 主要原因是在2017年, DRAM的销量激增了77%, NAND闪存的销量猛增了54%.

2009年半导体行业衰退之后, 2010年强劲的经济复苏势头使O-S-D销售出现了37%的大幅增长, 但是2017年才又一次实现O-S-D三种产品销售额同时创出新高. 此外, IC Insights的报告还显示, 在2017年, 由MEMS技术制造的传感器和执行器产品的销售同比增长18%, 达到创纪录的115亿美元.

4.韩媒: 中国拟采购更多美国芯片 韩国芯片行业不容乐观

据外媒报道, 在全球存储芯片市场, 韩国公司是难以忽视的统治性力量.

截至去年第四季度, 三星电子和SK海力士在全球DRAM内存与NAND闪存市场的合计份额分别达到了74.7%和49.1%. 此外, 三星电子和SK海力士还占据了韩国出口额的20%以上.

然而, 韩国半导体行业最近却遭遇了意想不到的障碍. 据多家外媒报道称, 中国已经提出, 提高从美国进口半导体芯片的比例, 取代来自韩国和中国台湾的产品.

去年, 中国从韩国进口了价值463亿美元的存储芯片, 占中国存储芯片进口额的52.3%. 相较2016年, 中国从韩国进口的存储芯片总额同比增长了惊人的51.3%.

另一方面, 美国去年向中国售出了价值6.4亿美元的半导体, 仅有韩国内存行业对华出口额的1.3%. 通过计算可知, 如果中国用美国存储芯片取代5%的韩国芯片, 韩国将损失23.3亿美元. 如果取代10%, 韩国则将损失46.6亿美元.

不过, 有专家表示, 中国提高美国存储芯片进口比例产生的影响有限, 因为韩国是市场上最大的供应商. 即使中国想要从美国的美光科技公司进口更多产品, 由于产能不足, 后者也很难满足太多订单. 美光科技也难以立刻提高产能, 因为这通常需要两到三年时间.

行业高管说: '美光科技可以在一两年后供应更多产品, 但它们仍然会面临问题, 因为韩国公司拥有定价权. '

韩国国际贸易协会研究员Je Hyun-jung提出了不同的观点. 他说: '问题在于, 在美国公司提出投诉后, 美国政府正努力重新大力发展芯片行业. 虽然芯片是免税产品, 但并不受反倾销税影响. 这是韩国公司没法解决的问题. ' 腾讯科技

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