目前, 聯芯能同時提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 工藝技術.
據介紹, 聯芯 28 納米 High-K/Metal Gate 工藝製程採用了目前全球最先進的 Gate Last 製程技術, 能大幅減少柵極的漏電量, 提升晶體管的性能, 可以應用於更多樣化的各類電子產品.
對此技術突破, 聯芯首席執行官暨副董事長許志清表示非常開心, 並期望未來進一步強化與客戶合作, 積極推動產品量產.
聯芯整合電路製造項目位於福建省廈門市翔安區, 本工程佔地面積約 25.5 萬平方米, 總建築面積約 36.8 萬平方米. 項目投資約 62 億美元, 分兩個階段實施, 其中第一階段建設全部廠房及構建築物設施, 並安裝設備形 2.5 萬片/月的生產能力; 第二階段在第一階段基礎上安裝設備再形成 2.5 萬片/月的生產能力. 項目全部建成後形成 12 英寸, 線寬 55-28nm 的整合電路晶片共 5 萬片/月的生產能力.
可以說, 聯芯整合電路製造項目是海峽兩岸合資建設的第一座 12 英寸晶圓廠, 也是福建省目前投資金額最大的單體項目. 聯芯於 2016 年 11 月正式營運投產, 目前公司正全力提速至滿載產能.