目前, 联芯能同时提供 Poly/SiON 和 High-K/Metal Gate 工艺技术.
据介绍, 联芯 28 纳米 High-K/Metal Gate 工艺制程采用了目前全球最先进的 Gate Last 制程技术, 能大幅减少栅极的漏电量, 提升晶体管的性能, 可以应用于更多样化的各类电子产品.
对此技术突破, 联芯首席执行官暨副董事长许志清表示非常开心, 并期望未来进一步强化与客户合作, 积极推动产品量产.
联芯集成电路制造项目位于福建省厦门市翔安区, 本工程占地面积约 25.5 万平方米, 总建筑面积约 36.8 万平方米. 项目投资约 62 亿美元, 分两个阶段实施, 其中第一阶段建设全部厂房及构建筑物设施, 并安装设备形 2.5 万片/月的生产能力; 第二阶段在第一阶段基础上安装设备再形成 2.5 万片/月的生产能力. 项目全部建成后形成 12 英寸, 线宽 55-28nm 的集成电路芯片共 5 万片/月的生产能力.
可以说, 联芯集成电路制造项目是海峡两岸合资建设的第一座 12 英寸晶圆厂, 也是福建省目前投资金额最大的单体项目. 联芯于 2016 年 11 月正式营运投产, 目前公司正全力提速至满载产能.