具體內容如下:
(一)對於首次完成全掩膜(Full Mask)工程產品流片的企業, 給予流片費用最高10%, 年度總額不超過500萬元的補貼.
(二)對於進行化合物半導體全掩膜首輪驗證性流片的企業, 給予流片費用最高50%, 年度總額不超過500萬元的補貼.
(三)對於使用多項目晶圓(MPW)流片進行研發的企業(單位), 給予MPW直接費用最高40%, 年度總額不超過100萬元的補貼.
(四)對於採購本地企業自主研發設計生產晶片的企業, 給予採購金額最高10%, 年度總額不超過200萬元的補貼.
(五)對於向IP提供商購買IP(含Foundry IP模組)進行研發的IC企業, 給予採購金額最高10%, 年度總額不超過200萬元的補貼; 對於為IC企業提供IP複用, 共用設計工具軟體或測試與分析系統的第三方IC設計平台, 給予購買費用最高20%, 年度總額不超過100萬元的補貼.
(六)對於在本地進行封裝和測試的IC設計企業(不含IDM企業), 給予封測費用最高5%, 年度總額不超過200萬元的補貼.
(七)鼓勵六類500強, 全球行業前10強的整合電路企業到我市投資, 對於投資契合我市發展戰略且投資額達到50億元以上的重大產業化項目或投資額達到5億元以上的研發設計項目, 按照 '一企一策' 給予政策補貼.
(八)鼓勵本市整合電路龍頭骨幹企業進行產業鏈垂直整合, 支援其開展境內外非關聯的併購重組, 支援併購重組後首次成功進入世界500強或全球行業前10強的企業, 享受相應鼓勵政策; 中小企業為大企業配套新建, 擴建產業鏈項目, 按中小企業發展技術改造項目資助標準予以扶持.
(九)加強對各類整合電路產業人才支援力度, 分層分類在安家落戶, 醫療保障, 子女就學, 補貼獎勵, 創業扶持等多方面予以支援. 建立柔性的人才引進機制和國際水準的人才培育機制, 加強整合電路類高層次創新創業人才(團隊)的引進及本土優秀人才的培育, 激勵. 在 '蓉漂計劃' 專家, 引進和本土專家培育中對整合電路人才予以傾斜, 吸引整合電路領軍人物, 運營管理人才, 科技創新人才等在蓉創新創業; 加強人才服務保障, 將滿足條件的整合電路產業高層次研發, 市場及管理人才納入 '蓉城人才綠卡' 服務體系, 加大對青年整合電路人才的人才公寓, 公租房保障力度, 營造良好的創新創業環境.
(十)新增工業用地優先保障重大整合電路項目生產用地, 落實用地指標, 按相關政策實行地價優惠; 切實保障整合電路產業對電, 水, 氣等生產要素的需求, 提升電, 水, 氣供給服務品質, 對符合條件的企業納入省直購電交易, 鼓勵成都能源綜合服務公司對重點企業協調優價供電.
補充說明:
·本政策與其他優惠政策內容重複或類同的, 同一企業, 同一項目按就高原則不重複享受. 同一企業, 同一年度只能就高選擇本政策中財政扶持條款之一享受(不包含 '一企一策' ) .
·本政策支援內容所需資金從工業發展專項資金中統籌安排.
·各區(市)縣工業和資訊化主管部門和財政部門, 應當嚴格執行市政府《關於印發〈成都市市級財政專項資金管理暫行辦法﹥的通知》(成府發[2014]7 號), 加強資金監管, 規範資金使用, 提高資金使用效率.
·本政策措施自印發之日起施行, 有效期3年.