OCP Summit開放計算峰會上, 三星電子展示了一條容量高達64GB的DDR4記憶體, 基於其最新的16Gb(2GB)顆粒, 並稱未來可以輕鬆做到單條256GB.
這條記憶體是面向主流伺服器的RDIMM類型, 額定頻率 2666MHz , 電壓為行業標準 1.2V, 顆粒製造工藝非常先進但未具體披露(應該就是10nm級別), 號稱 功耗比此前的8Gb顆粒降低了20% .
三星表示, 這條64GB記憶體是雙Rank配置, 正在繼續開發四Rank 128GB RDIMM, 八Rank 256GB LRDIMM.
三星同時用Intel Xeon, AMD EPYC平台展示了新記憶體, 而如果插滿256GB記憶體條, 單路總容量分別可達3TB, 4TB.
至於案頭領域, 三星可以利用新的顆粒打造單條32GB UDIMM , 這樣一套高端系統可以擁有256GB記憶體, 當然價格會十分美麗.
SK海力士此前也曾經宣布已經完成了單Die 16Gb DDR4顆粒, 同樣能夠造出256GB的記憶體條.
