這一年來有關國內公司進軍記憶體產業的消息甚囂塵上, 紫光公司憑藉原有的英飛淩, 奇夢達基礎在DDR3記憶體上已經作出了突破, 小批量生產了DDR3記憶體, 下半年還會推出更主流的DDR4記憶體晶片, 正在努力追趕國際主流水平.
但是放眼整個記憶體市場, DDR5記憶體很快就要來了, 更可怕的是未來即便是DDR5記憶體也很可能被更新的技術淘汰, 業界已經有人提出了DDR記憶體將死的看法, 未來需要高頻寬的產品將轉向HBM記憶體, 2020年會有HBM 3記憶體, 2024年則會有HBM 4記憶體, 屆時頻寬可達8TB/s, 單插槽容量可達512GB.
對於HBM記憶體, DIY玩家可以說也是相當熟悉了, AMD在2015年的Fury系列顯卡上首次商用第一代HBM技術, 超高的頻寬, 超低的面積佔用徹底改變了當時的顯卡設計, 隨後NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技術, 不過消費級市場上使用HBM 2技術還是AMD去年的RX Vega顯卡, 但是因為HBM 2顯存的成本太過昂貴, RX Vega上實際上使用了兩組4GB HBM 2, 等效位寬比第一代減少一半, 儘管頻率大幅提升, 所以實際頻寬反而低了一些.
見識過HBM的玩家對該技術肯定印象深刻, 那麼未來它又該如何發展呢? HPE (惠普企業級) 公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點, 在他看來DDR記憶體要走到盡頭了 (DDR is Over) , 特別是一些需求高頻寬的場合中.
根據他分享的一些數據, HBM 2記憶體將在2018年大量應用, HBM 3將在2020年左右應用, 改進版的HBM 3+技術在2022年應用, 2024年則會有HBM 4記憶體, 頻寬及容量也會逐級增長, 比如現在的HBM 2記憶體, 核心容量可達8Gb, 通過TSV技術可以實現每個CPU支援64GB HBM2記憶體, 每路插槽的頻寬可達2TB/s, 而到了HBM 4時代, 每個CPU支援的容量可達512GB, 頻寬超過8TB/s. 作為對比的話, 目前AMD的EPYC處理器支援8通道DDR4記憶體, 雖然最高容量能達到2TB, 但是頻寬不過150GB/s左右, 與HBM記憶體相比就差遠了.
按照他的觀點, 在一些需要高頻寬的場合中, HBM技術無疑遠勝DDR記憶體, 所以他說的DDR記憶體將死在這方面是成立的, 比如HPC高性能計算機行業就非常需要HBM. 不過話說回來, DDR將死這個判斷並不適合案頭市場, HBM技術雖然各種好, 但是現在來看成本問題一時半會都沒法解決.
目前能生產HBM記憶體的廠商只有三星, SK Hynix, 美光因為有HMC技術, 對HBM並不怎麼熱心, 所以HBM降低成本的過程將是漫長的, 對案頭級玩家來說DDR4很長一段時間內都不會過時, 2020年左右會開始推DDR5記憶體, 所以三五年內我們是看不到DDR記憶體被HBM幹掉的可能的.
