DDR内存就快死了: HBM 3/4内存才是未来

这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上, 紫光公司凭借原有的英飞凌, 奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破, 小批量生产了DDR3内存, 下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片, 正在努力追赶国际主流水平.

但是放眼整个内存市场, DDR5内存很快就要来了, 更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰, 业界已经有人提出了DDR内存将死的看法, 未来需要高带宽的产品将转向HBM内存, 2020年会有HBM 3内存, 2024年则会有HBM 4内存, 届时带宽可达8TB/s, 单插槽容量可达512GB.

对于HBM内存, DIY玩家可以说也是相当熟悉了, AMD在2015年的Fury系列显卡上首次商用第一代HBM技术, 超高的带宽, 超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计, 随后NVIDIA在Tesla P100上商用了HBM 2技术, 不过消费级市场上使用HBM 2技术还是AMD去年的RX Vega显卡, 但是因为HBM 2显存的成本太过昂贵, RX Vega上实际上使用了两组4GB HBM 2, 等效位宽比第一代减少一半, 尽管频率大幅提升, 所以实际带宽反而低了一些.

见识过HBM的玩家对该技术肯定印象深刻, 那么未来它又该如何发展呢? HPE (惠普企业级) 公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些观点, 在他看来DDR内存要走到尽头了 (DDR is Over) , 特别是一些需求高带宽的场合中.

根据他分享的一些数据, HBM 2内存将在2018年大量应用, HBM 3将在2020年左右应用, 改进版的HBM 3+技术在2022年应用, 2024年则会有HBM 4内存, 带宽及容量也会逐级增长, 比如现在的HBM 2内存, 核心容量可达8Gb, 通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存, 每路插槽的带宽可达2TB/s, 而到了HBM 4时代, 每个CPU支持的容量可达512GB, 带宽超过8TB/s. 作为对比的话, 目前AMD的EPYC处理器支持8通道DDR4内存, 虽然最高容量能达到2TB, 但是带宽不过150GB/s左右, 与HBM内存相比就差远了.

按照他的观点, 在一些需要高带宽的场合中, HBM技术无疑远胜DDR内存, 所以他说的DDR内存将死在这方面是成立的, 比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM. 不过话说回来, DDR将死这个判断并不适合桌面市场, HBM技术虽然各种好, 但是现在来看成本问题一时半会都没法解决.

目前能生产HBM内存的厂商只有三星, SK Hynix, 美光因为有HMC技术, 对HBM并不怎么热心, 所以HBM降低成本的过程将是漫长的, 对桌面级玩家来说DDR4很长一段时间内都不会过时, 2020年左右会开始推DDR5内存, 所以三五年内我们是看不到DDR内存被HBM干掉的可能的.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports