GlobalFoundries今天宣布, 已经使用30m毫米晶圆, 认证了行业首个90nm制造工艺的硅光子芯片, 未来将使用更新的45nm工艺提升带宽和能效, 推动数据中心和云应用的新一代光学互连.
不同于利用铜线电信号传输数据的传统硅互连, 硅光子技术使用光纤光脉冲, 以更高的速度, 在更远距离上传输数据, 并降低能耗, 可应对全球通信基础设施中的大规模数据增长. Intel, IBM都在深入研究硅光子技术.
GF表示, 其硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路, '单芯片' 方案利用标准硅制造技术, 提高部署光学互连系统的效率, 并降低成本.
GF的最新硅光子产品依托90nm RF SOI工艺, 发挥了其在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验, 可以提供30GHz带宽的解决方案, 客户端数据传输速率达到800Gbps, 传输距离也增加到120km.
该技术此前使用的晶圆为200毫米, 而今GF利用位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂, 认证了300毫米直径的晶圆.
更大尺寸的晶圆有助于提高产能和生产率, 让光子损失减少2倍 , 扩大覆盖范围, 实现效率更高的光学系统.
Cadence Design Systems公司用于E/O/E, 协同设计, 极化, 温度和波长参数的完整PDK支持90nm技术, 并提供差异化光子测试能力, 包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分.
GF的下一代单芯片硅光子产品将采用45nm RF SOI工艺, 计划2019年投产, 功耗更低, 体积更小, 光学收发带宽更高, 可满足新一代兆兆位应用.
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