1.DRAM市場混戰: 三巨頭只要利潤 英特爾找新歡 中國乘勢崛起;
集微網消息 (編譯/丹陽, 樂川) 近日, 調研機構IC Insights警告, DRAM價格飛漲, 中國後起之秀有望藉機而入緩解一直以來被壓抑的需求.
縱觀曆史態勢, DRAM市場是主要IC產品細分市場波動最大的部分. 在過去2年, 2016年DRAM市場就下跌了8%, 到2017年又增長了77%, 這就是一個很好的例子.
過去30多年來, DRAM的價格持續下跌, 僅1978年到2012年的34年間, DRAM每比特的平均價格就以33%的年平均速度下降. 然而, 從2012年到2017年, DRAM每比特平均價格年跌幅縮小至3%. 到了2017年, DRAM價格逆轉之前下跌態勢, 反漲47%, 創1978年以來最大增幅.
從DRAM位元數量增長看來, 2016年DRAM位元數量增長達40%, 2017年為20%. 如圖1所示, 從2017年5月到2018年1月的9個月裡, DRAM位元數量年平均增長率僅為13%. 2018年, DRAM位元數量成長幅度將維持在20%.
圖1還列出了從2017年1月到2018年1月期間每個月DRAM每千兆價格. 如圖所示, DRAM每千兆位價格一直在急劇上漲, 2018年1月與2017年1月相比, 價格上漲了47%. 毫無疑問, 電子系統製造商目前正在爭先恐後地調整和適應記憶體價格的飛漲.
DRAM通常被認為是一種類似石油的商品. 和大多數商品一樣, 產品需求具有彈性, 這也就意味著價格提高會抑制需求, 價格降低則會增加和創造新用途. 例如, 當油價處於低位時, 許多消費者購買大型suv, 因為對每加侖汽油的使用效率幾乎不用擔憂. 然而, 當油價上漲時, 消費者通常會選擇較小的或替代能源(如混合動力或全電動) 汽車.
如圖1所示, 從2017年1月到2018年1月期間, DRAM的每位元價格與位元數量年增幅之間的相關係數為-0.88. 因此, 雖然系統製造商並沒有因為價格上漲而在目前出貨的電子設備中減少DRAM的使用量, 但有很多關於一些智能手機生產商在下一代機型上減少DRAM的傳言, 將智能手機內置DRAM從5GB降至4GB.
IC Insights相信, 在2018年, DRAM的主要供應商應該小心行事, 如果讓股東更開心, 會進一步疏離DRAM客戶群. 如果初創的中國DRAM生產商能夠在未來幾年內推出一款具有競爭力的產品, DRAM的用戶可能會湧向這些新的供應商, 試圖擺脫目前迫在眉睫的價格上漲壓力. 目前的DRAM大廠可能會遭到慘重報複.
紫光與英特爾合作, 能減少三年記憶體技術差距?
韓國媒體businesskorea近日披露, 清華紫光正與英特爾合作開發3D NAND快閃記憶體晶片. 據悉, 根據雙方的合約, 英特爾決定首先提供用於NAND快閃記憶體晶片的晶圓, 然後再提供64層3D NAND快閃記憶體晶片. 在英特爾的支援下, 清華紫光的快閃記憶體產品不僅能夠提高在銷售方面的競爭力, 還能提高其在市場上的品牌知名度.
這種快閃記憶體技術來自英特爾, 美光合資的IMFlash, 不過到明年初, 雙方將結束合作, 各自獨立優化自己的產品和服務, 同時英特爾會把所持股份幾乎全部賣給美光, 從中脫身. 如果完全獨立勢必會大大影響產能和供應量, 而當前快閃記憶體市場需求又持續高位, 因此英特爾迫切需要一個新的夥伴.
而紫光是中國半導體行業發展中大力扶持的關鍵對象. 未來五年, 中國將在半導體行業投入1萬億元人民幣, 目標是到2025年將半導體自給率提高到70% , 紫光自然扮演著極為關鍵的角色. 目前, 紫光已經投資300億美元, 在南京興建自己的記憶體, 快閃記憶體工廠, 還與建興聯合在蘇州興建SSD開發製造工廠.
英特爾在NAND晶片市場的份額排名第六, 位於SK Hynix之後. 英特爾去年通過重拾記憶體晶片業務, 在20年前放棄該業務後再次進入市場, 但仍具有很高的技術水平. 該公司在2012年與NAND快閃記憶體市場份額排名第四的美光科技公司合作, 並從去年開始生產64層3D NAND快閃記憶體晶片. 英特爾目前正在開發96層3D NAND晶片. 另外, IMFlash還在開發新一代96層堆疊3D快閃記憶體, 並輔以10nm級別製造工藝, 容量密度將比現在的64層提高一倍, 未來也有望落戶紫光.
一些市場觀察人士表示, 從今年年底開始生產32層3D NAND晶片的中國存儲器晶片生產商與韓國同行之間的技術差距為三年. 這是因為三星電子公司已於2014年8月首次在全球範圍內批量生產32層3D NAND晶片, 2015年8月份為48層3D晶片, 2016年12月為64層晶片. 更高層次和位元堆積的3D NAND晶片, 就需要更高的技術水平. 因此, 單靠時間和精力並不能縮小技術差距.
但是, 通過與英特爾的合作, 中國有望迅速縮小技術差距, 威脅包括三星電子在內的韓國記憶體晶片製造商. 中國將能夠提前發布高性能3D NAND產品, 預計在前兩至三年先推出低端產品.
市場研究公司Market Realist表示: '中國與英特爾的合作關係可能會導致供應過剩並危害整個NAND快閃記憶體產業生態系統. ' 韓國半導體行業的一位官員表示: '三星電子和SK海力士正在關注由於競爭對手的NAND擴張, 市場狀況可能會變得更糟. 這可能會增加全球投資機構的爭論, 即NAND晶片的價格將大跌. '
除英特爾之外, 中國還在尋求與日本東芝公司建立技術合作關係. 東芝需要獲得中國反壟斷監管機構的批准, 才能將其存儲晶片單元出售給由貝恩資本領導的財團, 其中包括SK海力士. 所以, 中國正在利用這一點與東芝做出一種置換交易. 業內人士認為, 這種條件可能是中國可能要求東芝提供技術合作或產品供應. 2016年記憶體價格飆漲以來, 中國智能手機企業所需的半導體存儲器始終無法得到充足的供應, 對此這些企業一直深表不滿.
題外:
兩年來存儲行業的強勢價格走勢, 已經極大地影響了國內智能手機產業乃至整個IC 晶片行業的發展. 現在不論是資本方, 產業鏈還是終端的消費者, 對記憶體相關的消息都異常地敏感和警惕. 最近西安紫光國芯的DDR4 記憶體晶片就引起了大家極大的關注.
國產半導體存儲產業的進步, 意味著以規模效應為特徵, 背後有著強力國家支援的力量進入了這個產業, 對記憶體產業的整體發展無疑是有相當促進作用的, 畢竟現在這個行當已經幾乎進入了寡頭競爭態勢中. 從普世科技進步的動力出發, 許多人, 許多中國人, 都對國產記憶體的進步迭代樂見其成. 另一方的觀點則認為, 國產記憶體在高頻特性, 相容性等方面都可能面臨相當的困難, 是否能夠吸引到足夠多的客戶, 盈利空間和定價競爭力都需要經受考驗, 未必能對市場產生足夠大的影響.
無論是對早前傳出烏龍消息的失望, 還是被證實DDR4 顆粒經過CPU-Z驗證的欣喜, 乃至淘寶店鋪上渠道方面的爭論, 讀者的心都跟著接踵而來的消息不斷起伏. 對於以紫光為代表的國產記憶體, 甚至包括整個國內半導體產業, 互聯網上的評價並不統一, 伴隨著不斷推翻的新聞的, 是業內人士樂觀與悲觀激烈對立交替的情緒.
2.中國存儲晶片產業彎道超車 人才引進是捷徑;
經濟日報-中國經濟網3月11日訊 (記者 楊明) 半導體市場調查公司IC Insights近日發表預測, 國際存儲晶片市場的超級景氣將於今年內結束, 主要原因是中國業者將於今年底實現存儲晶片量產.
我國存儲晶片行業的動向不隻影響著整個國際半導體市場, 也成為三星電子, SK海力士等存儲晶片壟斷企業營業利潤和股價的最大變數, 一直以來在這一領域保持領先的韓國企業感受到了真切的威脅. 近日韓國媒體《韓國經濟新聞》以 '快馬加鞭的中國半導體崛起' 報道了中國存儲晶片產業的快速發展. 報道認為, 在中國政府的政策和資金支援下, 中國存儲晶片企業用了不到3年時間, 已經成長到跟生產了20年半導體的台灣企業不相上下的水平, 韓國企業應提防中國向當年三星超越日本企業一樣, 被長江存儲, 合肥長鑫等企業超越.
我國於2014年頒布了《國家整合電路產業發展推進綱要》, 經過政府和企業近幾年潛心的努力和投入, 已形成存儲半導體三大研發和製造基地, 即長江存儲, 合肥長鑫和福建晉華. 現如今, 這三大存儲晶片基地都分別在當地加緊建設存儲晶片工廠, 預計最快到2018年下半年就會有存儲晶片工廠開始投產. 換言之, 2018年將成為國產存儲晶片主流化發展的元年.
存儲晶片中比較常見的是NAND Flash和DRAM. NAND Flash快閃記憶體是一種非易失性存儲技術, 即斷電後仍能保存數據, 比如手機上16G/32G/64G的快閃記憶體和電腦上的固態硬碟用的就是NAND Flash. DRAM是動態隨機存取存儲器, 只能將數據保持很短的時間, 而且關機就會丟失數據, 電腦上4G/8G/16G記憶體採用的就是DRAM.
根據記者掌握的情況, 長江存儲將主攻NAND Flash產品, 而福建晉華和合肥長鑫則把目標鎖定在DRAM. 三家公司中以長江存儲動作最快, 它由紫光集團和國家整合電路產業投資基金共同出資建立, 被認為是中國存儲晶片行業中技術和資金水準最高的企業. 去年下半年, 紫光再次獲得國家開發銀行和華芯投資共計1500億元人民幣的融資, 這為紫光解決存儲晶片工廠的資金問題提供了重要保障. 由於NAND Flash相對DRAM的技術難易度較低, 長江存儲也將成為第一家實現量產的中國存儲晶片企業. 而另外兩家企業今年將實現產品試生產, 預計到明年正式開始量產.
儘管我們馬上就將擁有自己的國產存儲晶片, 但我國存儲晶片企業的技術與國際領先企業仍有較大差距. 據韓國半導體行業專業人士分析, 如果長江存儲如期量產, 三星電子領先長江的技術差是4-5年, 而對於合肥長鑫則為6-8年, 福建晉華為8-10年. 與SK海力士的技術落差則根據各家公司情況有所不同, 大致縮短1-2年. 在考慮到合肥長鑫和福建晉華的DRAM量產預計比長江存儲的NAND晚一年, 可以判斷中國和韓國技術的差距NAND為5年, DRAM為10年.
長久以來, 存儲晶片市場都被少數國際大企業壟斷. NAND Flash市場被三星與東芝聯合的Toggle DDR陣營和英特爾與鎂光為首的ONFI陣營把持, 三星, 東芝, 閃迪, 鎂光, SK海力士等國外巨頭佔據80%以上的市場份額, 其中三星是領頭羊, 市場份額約38%.
而在DRAM市場, 三星, SK海力士, 鎂光佔據了主要市場份額. 三星的市場佔有率近半, SK海力士的市場份額為接近30%, 相比之下, 市場份額排名4-6的台系廠商的市場份額總和只有5%左右.
可以看出存儲晶片供應商被牢牢把持在少數幾家廠商手中, 而且有著贏者通吃的現象, 這對於市場份額佔據優勢地位的國際大廠非常有利, 對於追趕者來說就很不利. 如何獲得核心技術, 儘快縮小技術代差成為關鍵.
過去中國企業曾試圖通過跨國兼并獲取先進技術. 但一直以來西方國家在高科技上對中國嚴防死守, 紫光收購鎂光以及試圖通過收購西數進而收購閃迪的嘗試都最終夭折. 東芝出售存儲業務也對中國買家差別對待. 據日本朝日新聞報道, 日本政府開始研議, 如果是售給大陸或台灣的企業, 將根據外匯及外國貿易法勸告東芝中止或重新考慮.
由此來看, 海外收購之路無法開啟, 從境外引進核心技術人才成為目前情況下唯一合適的選擇, 這也將是中國存儲晶片產業在不久的未來實現彎道超車的捷徑.
記者從一名韓國朋友處就聽到了一個韓國半導體企業因引進人才實現逆襲的真實案例. 目前存儲晶片的全球第二大企業海力士在本世紀初曾瀕臨破產, 險些被鎂光收購, 但該公司從三星半導體部門挖來的一名叫崔珍奭的高級工程師發揮了關鍵作用. 他帶領手下的技術團隊, 通過技術革新, 在不到2年時間內將公司研發能力提升到與三星同等的水平, 甚至外界曾傳言海力士的產品成本比三星更低, 技術的突飛猛進使得海力士起死回生.
事實上, 中國的企業已開始了引進優秀人才的工作, 台灣的半導體人才成為大陸獵頭瞄準的對象. 特別是在鎂光接手華亞科之後, 華亞科內部人心不穩, 大批工程師集體跳槽中國存儲晶片企業. 可以說正是由於台灣人才的大量流入使得中國企業迅速趕上了台灣半導體企業的步伐, 成為加速中國存儲晶片產業發展的生力軍.
但我們同樣應該看到, 台灣技術與韓國, 美國企業的技術相比並不具備競爭力, 目前生存下來的台灣存儲晶片企業也多是生產三星電子和SK海力士不願生產的低階DRAM, 台灣技術在未來對中國縮小與世界先進存儲晶片技術差距的幫助有限. 因此, 如何想辦法引進掌握核心技術的韓國大廠的高級人才, 也許是中國企業必須認真思考的問題.
3.廈門市創新型城市建設再上新台階
記者昨日從市科技局獲悉, 日前, 國家工信部正式同意廈門籌建國家級 '芯火' 雙創基地 (平台) , 我市成為全國獲批建設的七個城市之一. 該平台的建設將為我市整合電路企業特別是中小設計企業提供更好的創新創業環境, 促進整合電路產業持續快速發展. 獲批建設國家級 '芯火' 雙創基地 (平台) , 與我市科技創新引領產業轉型升級的顯著成效密不可分. 黨的十九大召開以來, 全市科技創新工作深入貫徹習近平新時代中國特色社會主義思想和黨的十九大精神, 緊緊圍繞市委市政府建設 '五大發展' 示範市的戰略部署, 以福廈泉國家自主創新示範區 (廈門片區) 建設為中心, 紮實推進科技領域供給側結構性改革, 優化創新創業生態環境, 促進科技成果轉移轉化, 引領新產業加快成長, 科技創新全面融入經濟社會發展主戰場, 創新型城市建設再上新台階, 續寫新篇章.
來看去年以來我市科技創新的一組亮眼成績:獲批建設國家十大智慧財產權強市建立市, 八大智慧財產權運營服務體系建設重點城市, 智慧財產權綜合管理改革試點城市, 中國城市科技創新指數位居全國第11, 中國創新創業指數位居第9……近年來, 我市以科技創新為引領, 持續實施科技創新提升工程, 科技創新引領產業轉型升級成效明顯. 相關統計數據顯示, 2017年我市共投入市級財政科技資金14.51億元, 爭取國家科技資金超過11億元, 預計帶動全社會研發投入 (R&D) 近140億元, 佔GDP的比重約3.25%. 技術合同成交額三年增長近三倍, 去年達到近70億元. 全市每萬人有效發明專利擁有量達23.5件, 為全省平均值的3倍, 全國的2.4倍, 專利授權量增幅居副省級城市第二.
我市高新技術產業正成為經濟社會高質量發展的新引擎. 去年, 我市實現淨新增國家高新技術企業200家, 全市國家高新技術企業目前達到1425家, 佔全省46.6%. 高新技術企業集群的快速發展壯大, 使高新技術產業對經濟社會發展的貢獻日益突出. 去年, 規上高新技術產業實現工業產值4241.38億元, 佔全市規上工業總產值71.71%.
與此同時, 新產業新業態正加快形成新的經濟增長點. 生物與新醫藥產業已成為最彰顯我市自主創新能力的標杆性產業——系列艾滋病毒檢測試劑盒在42個國家得到應用, 使用量超過5億人次; 世界第三支, 國內第一支宮頸癌疫苗已完成三期臨床並申請上市……2017年預計全產業主營業務收入將達646億元, 其中生產性企業銷售收入達489億元. 整合電路產業厚積薄發——三安整合電路實現投產, 聯芯整合電路量產. 2017年, 我市規上整合電路企業產值達143.77億元, 同比增長38.39%, 規模居全國第五. 化合物半導體材料產業鏈正在形成, 以三安光電, 瀚天天成為代表的耐高壓, 高溫和高頻的第三代半導體材料氮化鎵, 碳化矽初步形成量產規模, 將為我國電力電子和5G通信技術的發展提供強有力支撐.