1.DRAM市场混战: 三巨头只要利润 英特尔找新欢 中国乘势崛起;
集微网消息 (编译/丹阳, 乐川) 近日, 调研机构IC Insights警告, DRAM价格飞涨, 中国后起之秀有望借机而入缓解一直以来被压抑的需求.
纵观历史态势, DRAM市场是主要IC产品细分市场波动最大的部分. 在过去2年, 2016年DRAM市场就下跌了8%, 到2017年又增长了77%, 这就是一个很好的例子.
过去30多年来, DRAM的价格持续下跌, 仅1978年到2012年的34年间, DRAM每比特的平均价格就以33%的年平均速度下降. 然而, 从2012年到2017年, DRAM每比特平均价格年跌幅缩小至3%. 到了2017年, DRAM价格逆转之前下跌态势, 反涨47%, 创1978年以来最大增幅.
从DRAM位元数量增长看来, 2016年DRAM位元数量增长达40%, 2017年为20%. 如图1所示, 从2017年5月到2018年1月的9个月里, DRAM位元数量年平均增长率仅为13%. 2018年, DRAM位元数量成长幅度将维持在20%.
图1还列出了从2017年1月到2018年1月期间每个月DRAM每千兆价格. 如图所示, DRAM每千兆位价格一直在急剧上涨, 2018年1月与2017年1月相比, 价格上涨了47%. 毫无疑问, 电子系统制造商目前正在争先恐后地调整和适应内存价格的飞涨.
DRAM通常被认为是一种类似石油的商品. 和大多数商品一样, 产品需求具有弹性, 这也就意味着价格提高会抑制需求, 价格降低则会增加和创造新用途. 例如, 当油价处于低位时, 许多消费者购买大型suv, 因为对每加仑汽油的使用效率几乎不用担忧. 然而, 当油价上涨时, 消费者通常会选择较小的或替代能源(如混合动力或全电动) 汽车.
如图1所示, 从2017年1月到2018年1月期间, DRAM的每位元价格与位元数量年增幅之间的相关系数为-0.88. 因此, 虽然系统制造商并没有因为价格上涨而在目前出货的电子设备中减少DRAM的使用量, 但有很多关于一些智能手机生产商在下一代机型上减少DRAM的传言, 将智能手机内置DRAM从5GB降至4GB.
IC Insights相信, 在2018年, DRAM的主要供应商应该小心行事, 如果让股东更开心, 会进一步疏离DRAM客户群. 如果初创的中国DRAM生产商能够在未来几年内推出一款具有竞争力的产品, DRAM的用户可能会涌向这些新的供应商, 试图摆脱目前迫在眉睫的价格上涨压力. 目前的DRAM大厂可能会遭到惨重报复.
紫光与英特尔合作, 能减少三年内存技术差距?
韩国媒体businesskorea近日披露, 清华紫光正与英特尔合作开发3D NAND闪存芯片. 据悉, 根据双方的合约, 英特尔决定首先提供用于NAND闪存芯片的晶圆, 然后再提供64层3D NAND闪存芯片. 在英特尔的支持下, 清华紫光的闪存产品不仅能够提高在销售方面的竞争力, 还能提高其在市场上的品牌知名度.
这种闪存技术来自英特尔, 美光合资的IMFlash, 不过到明年初, 双方将结束合作, 各自独立优化自己的产品和服务, 同时英特尔会把所持股份几乎全部卖给美光, 从中脱身. 如果完全独立势必会大大影响产能和供应量, 而当前闪存市场需求又持续高位, 因此英特尔迫切需要一个新的伙伴.
而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象. 未来五年, 中国将在半导体行业投入1万亿元人民币, 目标是到2025年将半导体自给率提高到70% , 紫光自然扮演着极为关键的角色. 目前, 紫光已经投资300亿美元, 在南京兴建自己的内存, 闪存工厂, 还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂.
英特尔在NAND芯片市场的份额排名第六, 位于SK Hynix之后. 英特尔去年通过重拾内存芯片业务, 在20年前放弃该业务后再次进入市场, 但仍具有很高的技术水平. 该公司在2012年与NAND闪存市场份额排名第四的美光科技公司合作, 并从去年开始生产64层3D NAND闪存芯片. 英特尔目前正在开发96层3D NAND芯片. 另外, IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存, 并辅以10nm级别制造工艺, 容量密度将比现在的64层提高一倍, 未来也有望落户紫光.
一些市场观察人士表示, 从今年年底开始生产32层3D NAND芯片的中国存储器芯片生产商与韩国同行之间的技术差距为三年. 这是因为三星电子公司已于2014年8月首次在全球范围内批量生产32层3D NAND芯片, 2015年8月份为48层3D芯片, 2016年12月为64层芯片. 更高层次和位元堆积的3D NAND芯片, 就需要更高的技术水平. 因此, 单靠时间和精力并不能缩小技术差距.
但是, 通过与英特尔的合作, 中国有望迅速缩小技术差距, 威胁包括三星电子在内的韩国内存芯片制造商. 中国将能够提前发布高性能3D NAND产品, 预计在前两至三年先推出低端产品.
市场研究公司Market Realist表示: '中国与英特尔的合作关系可能会导致供应过剩并危害整个NAND闪存产业生态系统. ' 韩国半导体行业的一位官员表示: '三星电子和SK海力士正在关注由于竞争对手的NAND扩张, 市场状况可能会变得更糟. 这可能会增加全球投资机构的争论, 即NAND芯片的价格将大跌. '
除英特尔之外, 中国还在寻求与日本东芝公司建立技术合作关系. 东芝需要获得中国反垄断监管机构的批准, 才能将其存储芯片单元出售给由贝恩资本领导的财团, 其中包括SK海力士. 所以, 中国正在利用这一点与东芝做出一种置换交易. 业内人士认为, 这种条件可能是中国可能要求东芝提供技术合作或产品供应. 2016年内存价格飙涨以来, 中国智能手机企业所需的半导体存储器始终无法得到充足的供应, 对此这些企业一直深表不满.
题外:
两年来存储行业的强势价格走势, 已经极大地影响了国内智能手机产业乃至整个IC 芯片行业的发展. 现在不论是资本方, 产业链还是终端的消费者, 对内存相关的消息都异常地敏感和警惕. 最近西安紫光国芯的DDR4 内存芯片就引起了大家极大的关注.
国产半导体存储产业的进步, 意味着以规模效应为特征, 背后有着强力国家支持的力量进入了这个产业, 对内存产业的整体发展无疑是有相当促进作用的, 毕竟现在这个行当已经几乎进入了寡头竞争态势中. 从普世科技进步的动力出发, 许多人, 许多中国人, 都对国产内存的进步迭代乐见其成. 另一方的观点则认为, 国产内存在高频特性, 兼容性等方面都可能面临相当的困难, 是否能够吸引到足够多的客户, 盈利空间和定价竞争力都需要经受考验, 未必能对市场产生足够大的影响.
无论是对早前传出乌龙消息的失望, 还是被证实DDR4 颗粒经过CPU-Z验证的欣喜, 乃至淘宝店铺上渠道方面的争论, 读者的心都跟着接踵而来的消息不断起伏. 对于以紫光为代表的国产内存, 甚至包括整个国内半导体产业, 互联网上的评价并不统一, 伴随着不断推翻的新闻的, 是业内人士乐观与悲观激烈对立交替的情绪.
2.中国存储芯片产业弯道超车 人才引进是捷径;
经济日报-中国经济网3月11日讯 (记者 杨明) 半导体市场调查公司IC Insights近日发表预测, 国际存储芯片市场的超级景气将于今年内结束, 主要原因是中国业者将于今年底实现存储芯片量产.
我国存储芯片行业的动向不只影响着整个国际半导体市场, 也成为三星电子, SK海力士等存储芯片垄断企业营业利润和股价的最大变数, 一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁. 近日韩国媒体《韩国经济新闻》以 '快马加鞭的中国半导体崛起' 报道了中国存储芯片产业的快速发展. 报道认为, 在中国政府的政策和资金支持下, 中国存储芯片企业用了不到3年时间, 已经成长到跟生产了20年半导体的台湾企业不相上下的水平, 韩国企业应提防中国向当年三星超越日本企业一样, 被长江存储, 合肥长鑫等企业超越.
我国于2014年颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》, 经过政府和企业近几年潜心的努力和投入, 已形成存储半导体三大研发和制造基地, 即长江存储, 合肥长鑫和福建晋华. 现如今, 这三大存储芯片基地都分别在当地加紧建设存储芯片工厂, 预计最快到2018年下半年就会有存储芯片工厂开始投产. 换言之, 2018年将成为国产存储芯片主流化发展的元年.
存储芯片中比较常见的是NAND Flash和DRAM. NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术, 即断电后仍能保存数据, 比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash. DRAM是动态随机存取存储器, 只能将数据保持很短的时间, 而且关机就会丢失数据, 电脑上4G/8G/16G内存采用的就是DRAM.
根据记者掌握的情况, 长江存储将主攻NAND Flash产品, 而福建晋华和合肥长鑫则把目标锁定在DRAM. 三家公司中以长江存储动作最快, 它由紫光集团和国家集成电路产业投资基金共同出资建立, 被认为是中国存储芯片行业中技术和资金水准最高的企业. 去年下半年, 紫光再次获得国家开发银行和华芯投资共计1500亿元人民币的融资, 这为紫光解决存储芯片工厂的资金问题提供了重要保障. 由于NAND Flash相对DRAM的技术难易度较低, 长江存储也将成为第一家实现量产的中国存储芯片企业. 而另外两家企业今年将实现产品试生产, 预计到明年正式开始量产.
尽管我们马上就将拥有自己的国产存储芯片, 但我国存储芯片企业的技术与国际领先企业仍有较大差距. 据韩国半导体行业专业人士分析, 如果长江存储如期量产, 三星电子领先长江的技术差是4-5年, 而对于合肥长鑫则为6-8年, 福建晋华为8-10年. 与SK海力士的技术落差则根据各家公司情况有所不同, 大致缩短1-2年. 在考虑到合肥长鑫和福建晋华的DRAM量产预计比长江存储的NAND晚一年, 可以判断中国和韩国技术的差距NAND为5年, DRAM为10年.
长久以来, 存储芯片市场都被少数国际大企业垄断. NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持, 三星, 东芝, 闪迪, 镁光, SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额, 其中三星是领头羊, 市场份额约38%.
而在DRAM市场, 三星, SK海力士, 镁光占据了主要市场份额. 三星的市场占有率近半, SK海力士的市场份额为接近30%, 相比之下, 市场份额排名4-6的台系厂商的市场份额总和只有5%左右.
可以看出存储芯片供应商被牢牢把持在少数几家厂商手中, 而且有着赢者通吃的现象, 这对于市场份额占据优势地位的国际大厂非常有利, 对于追赶者来说就很不利. 如何获得核心技术, 尽快缩小技术代差成为关键.
过去中国企业曾试图通过跨国兼并获取先进技术. 但一直以来西方国家在高科技上对中国严防死守, 紫光收购镁光以及试图通过收购西数进而收购闪迪的尝试都最终夭折. 东芝出售存储业务也对中国买家差别对待. 据日本朝日新闻报道, 日本政府开始研议, 如果是售给大陆或台湾的企业, 将根据外汇及外国贸易法劝告东芝中止或重新考虑.
由此来看, 海外收购之路无法打开, 从境外引进核心技术人才成为目前情况下唯一合适的选择, 这也将是中国存储芯片产业在不久的未来实现弯道超车的捷径.
记者从一名韩国朋友处就听到了一个韩国半导体企业因引进人才实现逆袭的真实案例. 目前存储芯片的全球第二大企业海力士在本世纪初曾濒临破产, 险些被镁光收购, 但该公司从三星半导体部门挖来的一名叫崔珍奭的高级工程师发挥了关键作用. 他带领手下的技术团队, 通过技术革新, 在不到2年时间内将公司研发能力提升到与三星同等的水平, 甚至外界曾传言海力士的产品成本比三星更低, 技术的突飞猛进使得海力士起死回生.
事实上, 中国的企业已开始了引进优秀人才的工作, 台湾的半导体人才成为大陆猎头瞄准的对象. 特别是在镁光接手华亚科之后, 华亚科内部人心不稳, 大批工程师集体跳槽中国存储芯片企业. 可以说正是由于台湾人才的大量流入使得中国企业迅速赶上了台湾半导体企业的步伐, 成为加速中国存储芯片产业发展的生力军.
但我们同样应该看到, 台湾技术与韩国, 美国企业的技术相比并不具备竞争力, 目前生存下来的台湾存储芯片企业也多是生产三星电子和SK海力士不愿生产的低阶DRAM, 台湾技术在未来对中国缩小与世界先进存储芯片技术差距的帮助有限. 因此, 如何想办法引进掌握核心技术的韩国大厂的高级人才, 也许是中国企业必须认真思考的问题.
3.厦门市创新型城市建设再上新台阶
记者昨日从市科技局获悉, 日前, 国家工信部正式同意厦门筹建国家级 '芯火' 双创基地 (平台) , 我市成为全国获批建设的七个城市之一. 该平台的建设将为我市集成电路企业特别是中小设计企业提供更好的创新创业环境, 促进集成电路产业持续快速发展. 获批建设国家级 '芯火' 双创基地 (平台) , 与我市科技创新引领产业转型升级的显著成效密不可分. 党的十九大召开以来, 全市科技创新工作深入贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想和党的十九大精神, 紧紧围绕市委市政府建设 '五大发展' 示范市的战略部署, 以福厦泉国家自主创新示范区 (厦门片区) 建设为中心, 扎实推进科技领域供给侧结构性改革, 优化创新创业生态环境, 促进科技成果转移转化, 引领新产业加快成长, 科技创新全面融入经济社会发展主战场, 创新型城市建设再上新台阶, 续写新篇章.
来看去年以来我市科技创新的一组亮眼成绩:获批建设国家十大知识产权强市创建市, 八大知识产权运营服务体系建设重点城市, 知识产权综合管理改革试点城市, 中国城市科技创新指数位居全国第11, 中国创新创业指数位居第9……近年来, 我市以科技创新为引领, 持续实施科技创新提升工程, 科技创新引领产业转型升级成效明显. 相关统计数据显示, 2017年我市共投入市级财政科技资金14.51亿元, 争取国家科技资金超过11亿元, 预计带动全社会研发投入 (R&D) 近140亿元, 占GDP的比重约3.25%. 技术合同成交额三年增长近三倍, 去年达到近70亿元. 全市每万人有效发明专利拥有量达23.5件, 为全省平均值的3倍, 全国的2.4倍, 专利授权量增幅居副省级城市第二.
我市高新技术产业正成为经济社会高质量发展的新引擎. 去年, 我市实现净新增国家高新技术企业200家, 全市国家高新技术企业目前达到1425家, 占全省46.6%. 高新技术企业集群的快速发展壮大, 使高新技术产业对经济社会发展的贡献日益突出. 去年, 规上高新技术产业实现工业产值4241.38亿元, 占全市规上工业总产值71.71%.
与此同时, 新产业新业态正加快形成新的经济增长点. 生物与新医药产业已成为最彰显我市自主创新能力的标杆性产业——系列艾滋病毒检测试剂盒在42个国家得到应用, 使用量超过5亿人次; 世界第三支, 国内第一支宫颈癌疫苗已完成三期临床并申请上市……2017年预计全产业主营业务收入将达646亿元, 其中生产性企业销售收入达489亿元. 集成电路产业厚积薄发——三安集成电路实现投产, 联芯集成电路量产. 2017年, 我市规上集成电路企业产值达143.77亿元, 同比增长38.39%, 规模居全国第五. 化合物半导体材料产业链正在形成, 以三安光电, 瀚天天成为代表的耐高压, 高温和高频的第三代半导体材料氮化镓, 碳化硅初步形成量产规模, 将为我国电力电子和5G通信技术的发展提供强有力支撑.