據韓國媒體報道, 為了滿足PC, 智能手機市場對NAND快閃記憶體的持續高需求, Intel正在與中國紫光集團談判, 授權其生產64層3D NAND快閃記憶體.
這種快閃記憶體技術來自Intel, 美光合資的IMFlash, 不過到明年初, 雙方將結束合作, 各自獨立優化自己的產品和服務, 同時Intel會把所持股份幾乎全部賣給美光, 從中脫身.
Intel當前使用和供應的快閃記憶體都來自IMFlash, 如果完全獨立勢必會大大影響產能和供應量, 而當前快閃記憶體市場需求又持續高位, Intel迫切需要一個新的夥伴.
而紫光是中國半導體行業發展中大力扶持的關鍵對象. 未來五年, 中國將在半導體行業投入1萬億元人民幣, 目標是到2025年將自主產能提高到70% , 紫光自然扮演著極為關鍵的角色.
目前, 紫光已經投資300億美元, 在南京興建自己的記憶體, 快閃記憶體工廠, 還與建興聯合在蘇州興建SSD開發製造工廠.
如此一來, 紫光能得到Intel的垂青, 也毫不意外.
目前還不清楚Intel, 紫光授權的具體內容, 是單純的製造授權, 還是更高級的技術授權.
如果是後者, 紫光還能將Intel快閃記憶體用於自家產品, 在自主快閃記憶體尚不完全成熟的情況下可以作為一個補充, 但也希望自主快閃記憶體不要因此荒廢了自己, 畢竟這種教訓實在太多了.
無論如何, 這對紫光來說都是一次極好的發展機遇, 可以與當今世界上最先進的快閃記憶體技術零距離接觸, 對增強自身技術實力有莫大好處.
韓國媒體也認為, 這將是對三星, SK海力士, 東芝的一次嚴峻挑戰.
另外, IMFlash還在開發新一代96層堆疊3D快閃記憶體, 並輔以10nm級別製造工藝, 容量密度將比現在的64層提高一倍, 未來也有望落戶紫光.
