据韩国媒体报道, 为了满足PC, 智能手机市场对NAND闪存的持续高需求, Intel正在与中国紫光集团谈判, 授权其生产64层3D NAND闪存.
这种闪存技术来自Intel, 美光合资的IMFlash, 不过到明年初, 双方将结束合作, 各自独立优化自己的产品和服务, 同时Intel会把所持股份几乎全部卖给美光, 从中脱身.
Intel当前使用和供应的闪存都来自IMFlash, 如果完全独立势必会大大影响产能和供应量, 而当前闪存市场需求又持续高位, Intel迫切需要一个新的伙伴.
而紫光是中国半导体行业发展中大力扶持的关键对象. 未来五年, 中国将在半导体行业投入1万亿元人民币, 目标是到2025年将自主产能提高到70% , 紫光自然扮演着极为关键的角色.
目前, 紫光已经投资300亿美元, 在南京兴建自己的内存, 闪存工厂, 还与建兴联合在苏州兴建SSD开发制造工厂.
如此一来, 紫光能得到Intel的垂青, 也毫不意外.
目前还不清楚Intel, 紫光授权的具体内容, 是单纯的制造授权, 还是更高级的技术授权.
如果是后者, 紫光还能将Intel闪存用于自家产品, 在自主闪存尚不完全成熟的情况下可以作为一个补充, 但也希望自主闪存不要因此荒废了自己, 毕竟这种教训实在太多了.
无论如何, 这对紫光来说都是一次极好的发展机遇, 可以与当今世界上最先进的闪存技术零距离接触, 对增强自身技术实力有莫大好处.
韩国媒体也认为, 这将是对三星, SK海力士, 东芝的一次严峻挑战.
另外, IMFlash还在开发新一代96层堆叠3D闪存, 并辅以10nm级别制造工艺, 容量密度将比现在的64层提高一倍, 未来也有望落户紫光.
