NAND Flash隨著2D轉3D製程良率改善, 量產能力大為提升, 儘管價格已經鬆動, 但包括存儲器, 控制IC, 封測等供應體系業者紛紛看好有助於量能提升. 存儲器控制IC大廠群聯電子看好64層3D NAND成為今年主流, 往後則邁進96層堆疊, 群聯今年也持續持升研發能量, 預計大幅徵才超過200名研發工程師. 群聯發言體系表示, 需求職缺包括揮發性存儲器元件工程師, 韌體演演算法工程師, 軟體設計工程師, 數位IC設計工程師, 類比IC設計工程師, 系統應用∕FAE工程師, IC Layout工程師與業務專員等, 包括台, 清, 交, 成等各大專院校人才都以廣納百川的態度, 希望優秀研發人才加入群聯電子行列, 既使是無經驗, 具有碩士學位者, 有機會年薪達到新台幣百萬元水準. 存儲器業者表示, 2018年智能型手機主打如AI, AR, 生物辨識, 4K HDR影片錄製等新應用, 手機用存儲器容量提升至128GB甚至上看256GB. 如Android陣營的龍頭品牌內嵌式存儲器eMMC/eMCP的儲存容量規格提升至128GB, 三星電子, 蘋果則搭載256GB的UFS內嵌式存儲器, 高容量存儲器蔚為趨勢, 64層堆疊3D NAND將成為主流, 並且進一步往96層邁進. 由於2D NAND Flash之物理極限使得容量大多限於128GB, 隨著2D轉3D NAND製程良率的提升, 以立體堆疊方式擴增容量的256GB以上快快閃記憶體儲器量能將會衝出, 市場估計, 手機品牌業者也會在後續發表的新機中搭載更高容量的存儲器. 群聯電子相關業者認為, 64層的3D NAND Flash將為今年最大宗之主流技術, 群聯已經推出可支援該製程技術的高速UFS控制晶片之外, 而既有eMMC/eMCP全系列控制晶片皆同步支援東芝陣營及美光陣營的64層3D NAND Flash, 另方面, 進一步支援次世代的96層3D NAND Flash之先進位程技術的控制晶片亦有機會在2018年底接棒推出, 全力鎖定智能手持裝置, 車用電子等領域. 市場估計, 群聯2017年發放股利可望達到新台幣16元水準, 不過發言體系僅表示會在今年3月底前揭露股利政策, 對預測數字則不多做公開評論.
