NAND Flash随着2D转3D制程良率改善, 量产能力大为提升, 尽管价格已经松动, 但包括存储器, 控制IC, 封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升. 存储器控制IC大厂群联电子看好64层3D NAND成为今年主流, 往后则迈进96层堆叠, 群联今年也持续持升研发能量, 预计大幅征才超过200名研发工程师. 群联发言体系表示, 需求职缺包括挥发性存储器元件工程师, 韧体演算法工程师, 软件设计工程师, 数位IC设计工程师, 类比IC设计工程师, 系统应用∕FAE工程师, IC Layout工程师与业务专员等, 包括台, 清, 交, 成等各大专院校人才都以广纳百川的态度, 希望优秀研发人才加入群联电子行列, 既使是无经验, 具有硕士学位者, 有机会年薪达到新台币百万元水准. 存储器业者表示, 2018年智能型手机主打如AI, AR, 生物辨识, 4K HDR影片录制等新应用, 手机用存储器容量提升至128GB甚至上看256GB. 如Android阵营的龙头品牌内嵌式存储器eMMC/eMCP的储存容量规格提升至128GB, 三星电子, 苹果则搭载256GB的UFS内嵌式存储器, 高容量存储器蔚为趋势, 64层堆叠3D NAND将成为主流, 并且进一步往96层迈进. 由于2D NAND Flash之物理极限使得容量大多限于128GB, 随着2D转3D NAND制程良率的提升, 以立体堆叠方式扩增容量的256GB以上快闪存储器量能将会冲出, 市场估计, 手机品牌业者也会在后续发表的新机中搭载更高容量的存储器. 群联电子相关业者认为, 64层的3D NAND Flash将为今年最大宗之主流技术, 群联已经推出可支援该制程技术的高速UFS控制芯片之外, 而既有eMMC/eMCP全系列控制芯片皆同步支援东芝阵营及美光阵营的64层3D NAND Flash, 另方面, 进一步支援次世代的96层3D NAND Flash之先进制程技术的控制芯片亦有机会在2018年底接棒推出, 全力锁定智能手持装置, 车用电子等领域. 市场估计, 群联2017年发放股利可望达到新台币16元水准, 不过发言体系仅表示会在今年3月底前揭露股利政策, 对预测数字则不多做公开评论.
