而根據《FN News》的進一步報導, 目前三星已經在韓國平澤市有了一座大型工廠, 這座工廠從 2017 年開始在進行 64 層堆疊 NAND Flash 快快閃記憶體儲器顆粒的生產工作. 而新工廠暫時名為 P2 Project, 就在距離舊工廠不遠處. 目前該新工廠的投資額達 30 萬億韓元 (約 27.6 億美元) , 不過暫時不清楚是初步投資金額還是總投資金額. 至於會采獨資或者是合資的方式來興建, 三星目前也沒有透露更多的消息.
報導進一步指出, 現在這座新工廠已經開始建設, 而且管道鋪設工程也已經接近尾聲. 未來, 新工廠完成興建之後, 將會擁有同時生產 DRAM, NAND Flash 快快閃記憶體儲器的能力. 但是目前三星並沒有對外披露具體的生產計劃. 外界預估, 屆時 DRAM, NAND Flash 快快閃記憶體儲器的生產應該會各占產能的一半, 而且三星會根據市場的需要進行動態調整, 以此來決定 DRAM 或 NAND Flash 快快閃記憶體儲器的產能高低.
根據規劃, 三星的這一座新工廠將會在 2019 年年底完工. 因為, 設備的採購和人員的到位也還需要一段時間. 因此, 三星最遲也要在 2018 年年底決定是生產 DRAM, NAND Flash 快快閃記憶體儲器的比例. 市場人士認為, 目前 NAND Flash 快快閃記憶體儲器的缺口不是很大, 原有的工廠產能也沒有達到滿載情況, 但是 DRAM 市場目前卻處於供不應求的狀態, 所以新工廠應該會以 DRAM 為主. 這樣的話, 只要新工廠完成後投入生產, DRAM 的產能就會得到進一步的提升, 紓解當前 DRAM 不足的問題.