而根据《FN News》的进一步报导, 目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂, 这座工厂从 2017 年开始在进行 64 层堆叠 NAND Flash 快闪存储器颗粒的生产工作. 而新工厂暂时名为 P2 Project, 就在距离旧工厂不远处. 目前该新工厂的投资额达 30 万亿韩元 (约 27.6 亿美元) , 不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额. 至于会采独资或者是合资的方式来兴建, 三星目前也没有透露更多的消息.
报导进一步指出, 现在这座新工厂已经开始建设, 而且管道铺设工程也已经接近尾声. 未来, 新工厂完成兴建之后, 将会拥有同时生产 DRAM, NAND Flash 快闪存储器的能力. 但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划. 外界预估, 届时 DRAM, NAND Flash 快闪存储器的生产应该会各占产能的一半, 而且三星会根据市场的需要进行动态调整, 以此来决定 DRAM 或 NAND Flash 快闪存储器的产能高低.
根据规划, 三星的这一座新工厂将会在 2019 年年底完工. 因为, 设备的采购和人员的到位也还需要一段时间. 因此, 三星最迟也要在 2018 年年底决定是生产 DRAM, NAND Flash 快闪存储器的比例. 市场人士认为, 目前 NAND Flash 快闪存储器的缺口不是很大, 原有的工厂产能也没有达到满载情况, 但是 DRAM 市场目前却处于供不应求的状态, 所以新工厂应该会以 DRAM 为主. 这样的话, 只要新工厂完成后投入生产, DRAM 的产能就会得到进一步的提升, 纾解当前 DRAM 不足的问题.