格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參考設計強化 22FDX® eMRAM 平台

美國加利福尼亞聖克拉拉, ——今日, 格芯 與 eVaderis共同宣布, 將共同開發超低功耗MCU參考設計方案, 該方案基于格芯22nm FD-SOI (22FDX®) 平台的嵌入式磁性隨機存儲器 (eMRAM) 技術. 雙方合作所提供的技術解決方案將格芯22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性與 eVaderis的超低耗電IP結合, 適合包括電池供電的物聯網產品, 消費及工業用微處理器, 車用控制器等各種應用.

eVaderis 的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平台高效的電源管理能力, 相較於上一代 MCU, 電池續航力可提高到10 倍以上, 同時晶片尺寸大幅降低. 這項由格芯FDXcelerator™合作項目 (FDXcelerator™ Partner Program) 開發的技術, 所提供的高器件密度, 低成本的單晶片解決方案, 特別符合對功耗敏感的應用, 可幫助晶片設計人員將效能, 密度以及易用性推向新的高度.

'eVaderis 創新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM 技術為基礎打造, 非常適合常閉的 (normally-off) 物聯網應用. ' eVaderis 總裁兼首席執行官 Jean-Pascal Bost表示, '以格芯eMRAM 作為工作記憶體, 可讓MCU的部分電路更頻繁的下電, 而不會引起MCU的性能損失. eVaderis 希望能在今年年底之前將這項通過驗證的 IP 提供給客戶. '

'穿戴式和物聯網裝置需要耐久的電池續航力, 更高的運行能力並整合先進的感測器. ' 格芯嵌入式存儲器事業部副總裁 Dave Eggleston 表示, '身為 FDXcelerator 合作夥伴, eVaderis運用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技術, 開發全新的MCU架構, 幫助客戶達成更高的需求. '

格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技術共同開發的參考設計將於 2018 年第 4 季面世. 包含有eMRAM 和射頻解決方案的22FDX設計套件現已發布. 用於客戶進行原型驗證的多項目晶圓 (MPW) 已經開放, 現成的eMRAM 模組也已提供, 有Flash 和SRAM兩種介面方案可供選擇, 使得客戶可以更容易地進行產品設計. 格芯預計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產.

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