格芯以eVaderis超低耗电 MCU 参考设计强化 22FDX® eMRAM 平台

美国加利福尼亚圣克拉拉, ——今日, 格芯 与 eVaderis共同宣布, 将共同开发超低功耗MCU参考设计方案, 该方案基于格芯22nm FD-SOI (22FDX®) 平台的嵌入式磁性随机存储器 (eMRAM) 技术. 双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与 eVaderis的超低耗电IP结合, 适合包括电池供电的物联网产品, 消费及工业用微处理器, 车用控制器等各种应用.

eVaderis 的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力, 相较于上一代 MCU, 电池续航力可提高到10 倍以上, 同时芯片尺寸大幅降低. 这项由格芯FDXcelerator™合作项目 (FDXcelerator™ Partner Program) 开发的技术, 所提供的高器件密度, 低成本的单芯片解决方案, 特别符合对功耗敏感的应用, 可帮助芯片设计人员将效能, 密度以及易用性推向新的高度.

'eVaderis 创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM 技术为基础打造, 非常适合常闭的 (normally-off) 物联网应用. ' eVaderis 总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示, '以格芯eMRAM 作为工作内存, 可让MCU的部分电路更频繁的下电, 而不会引起MCU的性能损失. eVaderis 希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户. '

'穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力, 更高的运行能力并集成先进的传感器. ' 格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示, '身为 FDXcelerator 合作伙伴, eVaderis运用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技术, 开发全新的MCU架构, 帮助客户达成更高的需求. '

格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世. 包含有eMRAM 和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布. 用于客户进行原型验证的多项目晶圆 (MPW) 已经开放, 现成的eMRAM 模块也已提供, 有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择, 使得客户可以更容易地进行产品设计. 格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产.

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