英特爾與美光在3D NAND 96層後終止合作, 將各自尋找合作夥伴

集微網消息, 英特爾與美光於2018年1月8日共同宣布, 在完成第三代3D NAND Flash研發後, 雙方將開啟各自的研發之路, 雙方目前共同研發的第二代產品為64層3D NAND Flash, 預計第三代將可堆棧96層, 也意味著96層以後3D NAND Flash的產品研發, Intel將正式與美光分道揚鑣. 儘管這項決議不會對雙方後續的製程提升, 產品規劃產生重大影響, 但在確定分家之後, 雙方將有更大的彈性尋求新的合作夥伴. 根據集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查, 英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計劃, 雙方可望建立正式銷售合作關係.

英特爾與紫光擬訂銷售合約, 紫光存儲藉以耕耘渠道銷售競爭力

從近期英特爾的動向來看, DRAMeXchange分析, 英特爾一直以來高度關注中國市場, 在CPU, modem, 記憶體等領域皆積極尋求不同的合作或合資機會. 除了積極尋求合作夥伴, 英特爾也持續擴大在中國的產能, 包含在中國大連地區也有3D NAND為主的NAND Flash自主產能將持續擴張. 近日來Intel與中國紫光存儲(紫光集團旗下子公司)正積極擬訂長期合約, 未來在此合約架構底下, 紫光存儲將能夠獲得一定比例來自英特爾的NAND晶圓, 經自行封裝測試成不同產品後, 由紫光存儲的自有渠道進行銷售.

觀察清華紫光集團在快閃記憶體的布局, 清華紫光集團主要有長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產, 並由紫光存儲負責銷售. 但由於目前長江存儲所設計的NAND Flash產品仍為32層為主, 因此在他們正式開發出64層或更高層數的產品以前, 紫光存儲為了維持渠道銷售的競爭力, 將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體的晶圓成品, 進而封裝成包含UFS, eMMC以及SSD產品.

清華紫光集團透過這樣的方式, 除了能夠維持渠道競爭力以外, 也能夠加強品牌能見度. 此外, 儘管一開始尚無法切入中高端智能型手機, 或在client SSD領域取得優勢, 然上述策略將可望以較低的售價切進包含Chromebook或其他消費性電子產品的應用, 後續對NAND Flash整體價格走勢帶來變數.

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