英特尔与美光在3D NAND 96层后终止合作, 将各自寻找合作伙伴

集微网消息, 英特尔与美光于2018年1月8日共同宣布, 在完成第三代3D NAND Flash研发后, 双方将开启各自的研发之路, 双方目前共同研发的第二代产品为64层3D NAND Flash, 预计第三代将可堆栈96层, 也意味着96层以后3D NAND Flash的产品研发, Intel将正式与美光分道扬镳. 尽管这项决议不会对双方后续的制程提升, 产品规划产生重大影响, 但在确定分家之后, 双方将有更大的弹性寻求新的合作伙伴. 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查, 英特尔与紫光集团正积极研拟后续合作计划, 双方可望建立正式销售合作关系.

英特尔与紫光拟订销售合约, 紫光存储藉以耕耘渠道销售竞争力

从近期英特尔的动向来看, DRAMeXchange分析, 英特尔一直以来高度关注中国市场, 在CPU, modem, 内存等领域皆积极寻求不同的合作或合资机会. 除了积极寻求合作伙伴, 英特尔也持续扩大在中国的产能, 包含在中国大连地区也有3D NAND为主的NAND Flash自主产能将持续扩张. 近日来Intel与中国紫光存储(紫光集团旗下子公司)正积极拟订长期合约, 未来在此合约架构底下, 紫光存储将能够获得一定比例来自英特尔的NAND晶圆, 经自行封装测试成不同产品后, 由紫光存储的自有渠道进行销售.

观察清华紫光集团在闪存的布局, 清华紫光集团主要有长江存储负责闪存的开发设计与生产, 并由紫光存储负责销售. 但由于目前长江存储所设计的NAND Flash产品仍为32层为主, 因此在他们正式开发出64层或更高层数的产品以前, 紫光存储为了维持渠道销售的竞争力, 将透过协议每个月自英特尔取得闪存的晶圆成品, 进而封装成包含UFS, eMMC以及SSD产品.

清华紫光集团透过这样的方式, 除了能够维持渠道竞争力以外, 也能够加强品牌能见度. 此外, 尽管一开始尚无法切入中高端智能型手机, 或在client SSD领域取得优势, 然上述策略将可望以较低的售价切进包含Chromebook或其他消费性电子产品的应用, 后续对NAND Flash整体价格走势带来变量.

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