該公司的DDR4模組採用兩種非緩衝DIMM (U-DIMM) 和SO-DIMM開發.
U型DIMM是 'SCQ04GU03AF1C-21P' , 'SCQ04GE03AF1C-21P' , SO-DIMM在2個模型 'SCQ04GS03AF1C-21P' , 'SCQ08GS13AF1C-21P' .
集微網消息, 紫光國芯1月23日在全景網投資者互動平台上回答投資者提問時介紹, DDR4與DDR3相比, 單條容量有很大提高, 可以實現較高的容量. 另外, 頻率和頻寬都有明顯提高. 工藝的提高也會降低工作電壓, 有利於更低的功耗.
同時, 關於公司在國內業界, 排名情況, 紫光國芯介紹, 公司的DRAM晶片設計技術處於世界先進水平, 國內稀缺, 但目前產品產量很小, 市場份額不大.