该公司的DDR4模块采用两种非缓冲DIMM (U-DIMM) 和SO-DIMM开发.
U型DIMM是 'SCQ04GU03AF1C-21P' , 'SCQ04GE03AF1C-21P' , SO-DIMM在2个模型 'SCQ04GS03AF1C-21P' , 'SCQ08GS13AF1C-21P' .
集微网消息, 紫光国芯1月23日在全景网投资者互动平台上回答投资者提问时介绍, DDR4与DDR3相比, 单条容量有很大提高, 可以实现较高的容量. 另外, 频率和带宽都有明显提高. 工艺的提高也会降低工作电压, 有利于更低的功耗.
同时, 关于公司在国内业界, 排名情况, 紫光国芯介绍, 公司的DRAM芯片设计技术处于世界先进水平, 国内稀缺, 但目前产品产量很小, 市场份额不大.