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1.iPhone基帶轉單Intel恐引發供應鏈洗牌;
集微網消息, 凱基投顧分析師郭明錤最近陸續發布今年iPhone新機相關零組件報告, 針對iPhone關鍵零組件基帶晶片部分, 他指出, 蘋果今年iPhone產品線可能會全面改用英特爾的基帶晶片, 一改過去高通七成, 英特爾三成的分布.
郭明錤分析, 英特爾可能成為今年新iPhone基帶晶片獨家供貨商的原因, 包括英特爾基帶晶片傳輸效能滿足蘋果技術要求, 英特爾基帶晶片可支援CDMA 2000和雙卡雙待功能, 英特爾報價較有競爭力, 以及蘋果與高通正進行專利權官司訴訟等, 希望藉此對高通施壓.
業界分析, 原本高通供應iPhone的基帶晶片是由台積電代工, 英特爾取代高通後, 勢必將相關晶片挪回英特爾自家晶圓廠生產.
據悉, 過去英特爾和高通出貨給蘋果的手機基帶晶片都是由台積電28nm製程操刀, 但英特爾早已規劃要拿回自家晶圓廠生產, 目前看來下半年就會成行.
高通基帶晶片平台採用的功率放大器 (PA) 等射頻組件, 主要都是搭配安華高 (Avago) 的產品, 英特爾出線後, 恐從安華高轉至Qorvo.
京元電從蘋果推出iPhone 7時, 就是英特爾基帶晶片主要後段測試廠, 若英特爾全拿iPhone訂單, 京元電訂單也將大增, 成為此次英特爾與高通爭搶蘋果訂單的受惠廠商.
路透社消息人士爆料稱, 博通目前準備提高對高通的收購價格, 包括債務在內, 第二輪的報價高達1450億美元. 此舉被視為博通試圖為3月6號高通股東大會上的董事會選舉投票贏得支援.
蘋果傳出今年新款iPhone可能全面棄用高通平台, 博通又在此時「適度」提高收購價, 蘋果和博通站在同一陣線, 意在對高通董事會和股東施加壓力, 想促成股東會同意公開收購案.
因此集微網分析, 蘋果棄用高通不排除是蘋果施壓高通的競爭策略, 未來是否真的實行也未可知.
2.傳蘋果將棄用高通晶片 高通股價應聲下跌;
新浪科技訊 北京時間2月6日淩晨消息, 本周一, 在有消息稱蘋果公司將選用英特爾作為下一代iPhone的數據機晶片供應商而不選用高通公司後, 高通的股價下跌了3%.
高通多年以來都是蘋果公司的晶片供應商, 但在去年蘋果控告高通對其晶片定價過高並拒絕支付大約10億美元退款後, 高通和蘋果的關係開始惡化.
在一份有關晶片供應商的報告中, 日本著名券商野村證券 (Nomura Instinet) 稱蘋果將拋棄高通轉而支援其他晶片供應商, 以降低iPhone的物料成本. 野村證券相信蘋果將從英特爾公司採購其所需的全部數據機晶片, 目前該晶片有一半是高通提供的.
近期英特爾的股價上漲了1.4%, 至46.81美元每股. 這家全球最大的PC晶片製造商在移動設備晶片市場中屬於後來者, 不過該公司如今在全力攻佔移動晶片市場.
投資研究公司CFRA Research分析師安格羅·茲諾 (Angelo Zino) 說: '有預測稱蘋果將在下一代iPhone中完全棄用高通的晶片, 我認為這是高通股價下跌的原因之一. '
上周高通發布了一份盈利預期報告, 該報告中已經假定了蘋果將在未來產品中棄用高通的晶片.
野村證券分析師羅密特·沙阿 (Romit Shah) 稱, 蘋果若轉而在下一代iPhone中採用英特爾公司的晶片, 將為其節省超過1億美元的資金.
iPhone 7是英特爾開始向蘋果供應數據機晶片後蘋果發布的第一款產品.
路透社曾在去年10月份報道稱蘋果已經設計好了不用高通晶片的iPhone和iPad產品. 來自凱基證券的分析師曾表示英特爾的數據機晶片的價格要比高通的便宜, 而且也能達到蘋果的標準.
但有行業分析師曾表示, 英特爾可能在5G網路技術上不如高通, 配備高通晶片的iPhone的性能要優於使用英特爾晶片的iPhone.
蘋果和英特爾拒絕對此發表評論. 高通沒有立即作出回應. (小寶)
3.環球晶圓CEO:今年矽晶圓價格將再漲20%;
集微網消息, 越來越多來自上遊產業的消息表明, 2018年的硬體價格跟2017年一樣會保持高位甚至略有上漲, 特別是半導體產業, 以SSD和CPU為首的半導體產品近幾年來都毫無降價跡象, 因為從2016年下半年開始矽晶片的價格就一路飆升, 現在包括信越化學和Sumco等矽晶圓廠商都將已經矽晶片的的售價調高.
矽晶圓片漲價的主因是AI晶片, 5G晶片, 汽車電子, 物聯網等下遊產業的崛起—當然也有一部分原因是DIY市場導致的, 比如3D NAND晶片的擴產. 環球晶圓 (全球第三大矽晶圓廠) CEO Doris Hsu在最近表示, 在今年矽晶圓的價格將會進一步上漲20%, 大尺寸的矽晶圓片的需求量非常大, 其中12英寸的矽晶圓供需缺口最嚴重 (其他矽晶圓廠也一樣) , 環球晶圓的訂單已經填滿了2018年的全部產能, 全球16家工廠將全天候生產晶圓. Hsu認為透過消除製造瓶頸, 在今年5月到7月, 8英寸和12英寸晶圓片的產能將增加7%左右.
去年落腳杭州的FerroTec半導體矽晶片項目其實就是環球晶圓和FerroTec合作的產物, 通過與FerroTec合作可使環球晶圓的銷量提升20%, 到2019年年底, 8英寸晶圓片月產能就能擴大30萬片, 以此緩解需求壓力.
4.從東方奮起 FD-SOI準備大賺IoT商機;
若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體製程技術, 除了即將量產的7奈米FinFET尖端製程, 以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米製程節點, 各家晶圓代工業者著眼於應用廣泛, 無所不包的物聯網(IoT) 市場對低功耗, 低成本組件需求而推出的各種中低階製程技術選項, 也是產業界的關注焦點.
若要說2018以及未來五年最受矚目的半導體製程技術, 除了即將量產的7奈米FinFET尖端製程, 以及預計將全面導入極紫外光(EUV)微影技術的5奈米製程節點, 各家晶圓代工業者著眼於應用廣泛, 無所不包的物聯網(IoT) 市場對低功耗, 低成本組件需求而推出的各種中低階製程技術選項, 也是產業界的關注焦點.
例如晶圓代工龍頭台積電(TSMC)的16與12奈米FFC (FinFET Compact Technology), 22奈米超低功耗(ULP), 28奈米HPC/HPC+, 以及40奈米ULP, 55奈米ULP與低功耗(LP) 等邏輯製程, 還有英特爾(Intel)的22奈米低功耗FinFET (22FFL)製程, GlobalFoundries的28奈米HPP (High Performance Plus)/SLP (Super Low Power), 22FDX製程, 以及三星電子(Samsung)的28奈米FDSOI, LPP, LPH... 等等, 都是適合廣泛物聯網應用市場需求特性的解決方案.
其中GlobalFoundries的FDX系列製程與Samsung的FD-SOI製程, 與其他競爭方案之間的最大差異, 就在於採用了無論是英文或中文讀來都十分拗口的「全空乏絕緣上覆矽」(Fully Depleted Silicon On Insulator, FD-SOI)技術; 該技術早在2011年就由SOI產業聯盟(SOI Industry Consortium), 意法半導體(ST)以及其研發夥伴IBM, GlobalFoundries, 三星等率先在業界推廣, 號稱在28奈米與20 (22)奈米節點能達到由英特爾, 台積電等支援的新一代FinFET製程相當的性能, 但成本與風險更低.
FD-SOI技術優勢何在?
不同於FinFET製程採用的3D晶體管結構, FD-SOI為平面製程; 根據ST官網上的技術數據, FD-SOI有兩大主要創新: 首先是採用了埋入氧化物(buried oxide, BOX)超薄絕緣層, 放置於矽基板之上 ; 接著將超薄的矽薄膜布署於晶體管通道, 因為其超薄厚度, 通道不需要摻雜(dope), 使晶體管能達到完全空乏. 以上兩種創新技術的結合全名為「超薄基體埋入氧化層全空乏絕緣上覆矽」(ultra-thin body and buried oxide FD-SOI, UTBB-FD-SOI).
ST表示, 與傳統的塊狀矽技術相較, FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性, 而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容; 此外該技術能有效限制源極與汲極之間的電子流動, 大幅降低影響組件性能的泄漏電流(圖1). 除了透過閘極, FD-SOI也能藉由極化(polarizing)組件底層基板來控制晶體管行為, 類似於塊狀矽技術亦可實現的基體偏壓(body bias).
圖1: 塊狀矽製程與FD-SOI製程晶體管結構比較 (來源: STMicroelectronics)
不過塊狀矽技術的基體偏壓非常有限, 因為寄生漏電流以及晶體管幾何尺寸縮減之後晶體管效率降低; 而FD-SOI因為晶體管結構以及超薄絕緣層, 偏壓效率會更好. 此外, 埋入氧化層也能實現更高的基體偏壓, 達到對晶體管突破性的動態控制──當基板的極化為正向, 也就是順向基體偏壓(FBB), 晶體管切換速度能加快, 並因此能優化組件性能與功耗.
根據ST的說法, FD-SOI能輕易實現FBB並在晶體管運作期間進行動態調節, 為設計工程師提供高度彈性, 特別是對省電性能與速度有高度要求, 性能並非關鍵的組件, 因此是物聯網或可攜式/穿戴式消費性電子裝置應用的理想解決方案.
市場研究機構International Business Strategies (IBS)執行長Handel Jones在2014年發表的一份報告中寫道: 「同樣是100mm見方大小的晶片, 採用28奈米FD-SOI製程的成本比塊狀CMOS製程低3%, 在20奈米節點則可以進一步低30%; 這是因為帶來更高參數良率的同時, 晶圓成本也更低; 」此外FD-SOI製程裸晶的複雜度與塊狀CMOS製程比較, 低了10%~12%.
Jones進一步表示: 「更小的裸晶面積與更高的參數良率之結合, FD-SOI製程在20奈米節點的產品成本優勢會比塊狀CMOS製程多20%; 在28奈米節點, FD-SOI的性能則比20奈米塊狀CMOS高出15%. 」他並指出: 「FD-SOI製程在高/低Vdd方面能提供比塊狀CMOS製程更高的能源效率等級(energy efficiency levels); FD-SOI在位單元(bit cells)上的電源效率也高出塊狀CMOS, 這是因為較低的泄漏電流以及對α粒子更好的免疫力. 」
FD-SOI製程: 西方冷, 東方熱
不過儘管FD-SOI號稱有上述諸多優勢, 對於該製程的生產良率, 專用晶圓片價格與供應來源穩定性, 還有大量生產確切時程, 整體技術支援生態系統完整性, 產業界仍有諸多疑慮; 因此雖然FD-SOI在歐洲有ST, 恩智浦(NXP) 等支援者, 三星, GlobalFoundries等也分別積極推廣自家FD-SOI代工業務, 該技術在市場的討論熱度與能見度一直偏低, 特別是在西方.
時間來到2017年2月, GlobalFoundries宣布投資100億美元在中國大陸成都高新西區建立12吋晶圓廠(圖2), 2018年開始營運的第一期生產線會是轉移自該公司新加坡廠之為較成熟的180/130奈米製程, 第二期為轉移自其德國德勒斯登(Dresden)廠的22FDX FD-SOI製程生產線, 預計2019年開始營運; 此訊息在半導體產業界引起廣大迴響, 除了再次昭示了中國發展本土半導體產業鏈的企圖心, 也代表FD-SOI製程的「 主戰線」將在中國點燃.
圖2: Globalfoundries在中國成都興建12吋廠Fab 11, 預計2019年量產的第二階段生產線為22FDX FD-SOI製程 (來源: Globalfoundries)
中國早在2015年就對FD-SOI技術表達了高度興趣; 當時中國大陸IC設計服務業者芯原(VeriSilicon)執行長戴偉民(Wayne Dai)在接受EE Times記者訪問時即表示, 與其不斷地在FinFET製程方面追趕台積電或英特爾的腳步, 他認為中國應該投資FD-SOI, 並以該技術做為低功耗製程的替代方案. 此外上海新傲科技(Simgui)於2015年秋天開始量產首批8吋SOI晶圓片, 採用與該公司策略夥伴, 法國業者Soitec的Smart Cut製程技術.
還有一個由中國「大基金」成立的投資平台, 上海矽產業投資有限公司(National Silicon Industry Group, NSIG)在2016年宣布收購14.5%的Soitec股權; 晶圓代工業者上海華力微電子( Shanghai Huali Microelectronics Corp.) 在GlobalFoundries宣布成都廠投資計劃前, 也透露了投資FD-SOI生產線的計劃, 但並沒有具體時間表. 這些跡象在在顯示FD-SOI將會是中國半導體產業發展藍圖的一部分, 並可能讓這個迄今在西方世界市場稍嫌受到冷遇的技術, 在東方市場發光發熱.
根據Globalfoundries產品管理資深副總裁Alain Mutricy在2017年5月接受EE Times採訪時的說法, 該公司在成都投資設廠只是第一步, 接下來還將在當地建立FD-SOI生態系統, 幫助中國無晶圓廠IC設計業者以及設計服務業者更容易取得所需的IP與工具.
物聯網製程戰火即將引爆
2017年9月底, 在SOI產業聯盟主辦的第五屆上海FD-SOI論壇上, 發表專題演說的GlobalFoundries執行長Sanjay Jha再次大力宣傳FD-SOI製程, 並以22奈米──採用單次光罩最小節點, 也是適合物聯網 , 便攜設備等對成本/功耗敏感應用, 預期將會是市場上的「長壽」節點──為基準, 將該公司的22FDX製程以及英特爾22FFL製程, 台積電22ULP製程的性能比較(圖3).
圖3: GlobalFoundries, 台積電與英特爾的22奈米製程性能比較 (來源: GlobalFoundries)
Jha在專題演說後接受EE Times China訪問時表示: 「從成本上面來說, 22奈米FinFET如果採用平面技術, 製程步驟會多一些, 製程控制的複雜度很高. 對於FDX, 底層的基板成本可能會高一點. 確實很難類比各自成本的結構, 但是考慮到我們在中國晶圓廠的建設投資以及規模產生的成本效應, 從生產的成本來說, 相較於英特爾的技術, 可能略有優勢. 」
在同一場論壇上, IBS執行長Jones也進一步提出了FD-SOI製程的閘極成本(cost per gate)分析(圖4), 他指出, 28奈米FD-SOI製程與28奈米高介電金屬閘極(HKMG)塊狀CMOS的閘極成本相當, 22奈米FD-SOI的閘極成本也仍具競爭力; 而到了下一代的12奈米FD-SOI, 因為所需光罩層數較少, 閘極成本會比16奈米FinFET製程低22.4%, 比10奈米FinFET低23.4%, 比7奈米FinFET低27%, 而FD-SOI的低耗電錶現當然也優於FinFET.
圖4: FD-SOI與FinFET製程閘極成本比較 (來源: IBS)
此外Jones也提出了各製程節點的軟硬體設計成本比較(圖5), 估計12奈米FD-SOI的設計成本在5,000至5,500萬美元之間, 而16奈米FinFET設計成本在7,200萬美元左右, 10奈米FinFET設計成本在1.31億美元左右; 因為設計成果的營收需要是成本的10倍, 所以12奈米FD-SOI的潛在市場規模(TAM)會比16奈米與10奈米FinFET更大.
圖5: 各製程節點設計成本比較 (來源: IBS)
綜合FD-SOI低功耗, 易於整合RF等特性與成本上的優勢, GlobalFoundries將行動裝置, 物聯網, 無線通信(5G/LTE/Wi-Fi), 以及汽車(ADAS/車用通訊)視為該製程的熱門應用; Jones則認為, 現有28奈米製程組件中, 有九成都適合轉向FD-SOI製程, 其TAM規模在2018年估計達到171億美元(圖6), 到2025年甚至可達184億美元, 眾家FD-SOI技術供貨商能實際取得多少營收得各憑本事, 而鎖定物聯網市場商機的製程大戰已經煙硝四起.
圖6: 22奈米FD-SOI製程潛在市場規模預測 (來源: IBS)
中國IC廠商躍躍欲試, 台灣廠商呢?
根據GlobalFoundries在第五屆上海FD-SOI論壇提供的統計數字, 該公司的22FDX製程已經獲得了總計135家客戶的青睞, 其中有20家客戶會在2017年底之前進入多項目晶圓(MPW)試產, 這之中又有15家會在2018年底正式投片, 而進入測試設計/投片階段的這些客戶中, 包括10家來自中國的廠商.
GlobalFoundries於2017年2月宣佈於成都興建投資額達百億美元的12吋新廠之後, 又於同年5月與成都市政府共同宣布, 雙方將合作以6年時間建立一個累計投資規模超過1億美元的「 世界級的FD-SOI生態系統」, 涵蓋多個位於成都的研發中心以及與大學院校合作的研究項目, 目的是能吸引更多頂尖半導體業者落戶成都, 並使成都「成為下一代晶片設計的卓越中心」.
將加入成都FD-SOI生態系統的公司包括EDA供貨商Cadence, Synopsys, 設計服務業者芯原, Invecas, 還有晶片設計業者聯發科(MediaTek), 瑞芯微(RockChip), 上海複旦微電子( Shanghai Fudan Microelectronics Group Company)等等; 芯原的戴偉民在接受EE Times訪問時表示, 要從成都FD-SOI生態系統投資中獲得研發經費, 「每一家公司都必須在成都部署研發團隊. 」
戴偉民指出, FD-SOI的支援者已經在中國打好基礎, 藉由像是上海FD-SOI論壇這樣的活動, 持續向中國本地的晶片業者與IC設計工程師, 政府官員, 私人投資基金等大力宣傳; 而他認為, 要壯大中國的FD-SOI生態系統有幾個要點 , 包括: 使用FD-SOI實現混合訊號和RF設計的可行性, 設計服務業者(如芯原)的支援, 實現基體偏壓設計流程和工具, 還有設計教學, 研討會, 大學課程, 實驗室和教科書, 以及政府的支援.
中國IC業者對FD-SOI技術躍躍欲試, 當地的產業生態系統逐漸成形; 以全球來看, GlobalFoundries則表示其FD-SOI製程生態系統FDXcelerator的合作夥伴截至2017年9月已經達到33家(圖7), 涵蓋半導體產業鏈上下遊業者. 儘管佔據十分少數, 台灣業者也在其中, 包括封測大廠日月光(ASE), 嵌入式記憶體IP供貨商力旺電子(eMemory), 以及處理器IP供貨商晶心科技(Andes).
圖7: GlobalFoundries積極為FD-SOI製程建立產業生態系統 (來源: GlobalFoundries)
晶心科技總經理林志明接受EE Times採訪時表示, 該公司是在2015年與GlobalFoundries的長期夥伴, 美國IC設計服務業者Invecas合作, 將其32位N7處理器核心導入採用FD-SOI製程的參考設計, 後來也獲得了GlobalFoundries的22FDX製程驗證.
他指出, 晶心的處理器核心開發原本就是以低功耗, 高效率為訴求, 其N7, N8與N9等系列都已經在物聯網與可攜式消費性電子市場獲得採用, 進駐包括智能手錶, 智能語音助理, 遊戲機以及隨身卡拉OK麥克風等等裝置, 目標市場與FD-SOI技術的方向一致, 以此製程選項搭配晶心的IP, 可望為客戶的設計帶來更佳的省電效能.
圖8: 晶心科技總經理林志明: FD-SOI製程的終端目標市場正好與我們的產品線非常一致
台灣的半導體IP供貨商並未在FD-SOI生態系統中缺席, 但台灣IC設計業者何時會跟進? 除了已經準備加入成都FD-SOI生態系統的聯發科技, 台灣本地業者對此技術的態度與西方市場一樣偏冷; 如半導體測試實驗室宜特科技(iST)表示, 據了解正在嘗試FD-SOI設計的台灣IC業者仍在少數, 預期對該製程的接受速度會比中國大陸業者緩慢得多.
結語
台灣的市場研究機構集邦科技(TrendForce)旗下拓墣產業研究所半導體研究中心分析師黃志宇表示, 目前全球FD-SOI產能的統計數字不易取得, 僅能大略估計該製程佔據2017年全球晶圓代工銷售的比例為0.2%左右 ; 他並指出, 中國大陸積極建立FD-SOI產業鏈, 引進晶圓片製造商Soitec, 晶圓代工業者GlobalFoundries, 對台灣晶圓代工業者的28奈米製程競爭力可能會帶來衝擊.
不過黃志宇也指出, 觀察中國FD-SOI產能開出的時間點亦相當重要, 必須同時考慮市場上既有晶圓代工業者的28奈米製程的折舊情形以及FD-SOI的實際產能規模: 「當FD-SOI製程產能規模小, 成本就相對變高, 而若晶圓代工業者折舊情形良好, 將可提供更優惠的28奈米製程價格, 如此在以成本導向的終端產品競爭上, FD-SOI就未必有利. 」
28奈米製程可說是台灣晶圓代工雙雄聯電(UMC), 台積電的「搖錢樹」, 其中台積電在2017年的28奈米晶圓片出貨量創下了18萬片的新高紀錄, 該節點營收在台積電2017年第三季仍然是佔據當季整體營收最高比例, 達到27%, 高於先進的16/20奈米節點; 聯電則在第三季看到28奈米HKMG的市場需求趨緩.
來勢洶洶的FD-SOI製程將會對現有28奈米晶圓代工市場帶來什麼樣的影響? 中國半導體產業是否將因為FD-SOI技術的發展而改寫曆史? 台積電即將開出的22奈米新製程又是否能取得市場動力? 為物聯網市場商機, 聯電在28奈米製程之後又將祭出甚麼新「武器」? 2018年半導體市場的發展局勢值得陸續觀察! eettaiwan
5.賽普拉斯2017年第四季度營收5.975億美元, 同比增長12.7%
集微網消息, 嵌入式解決方案領導者賽普拉斯半導體公司今日公布其2017年四季報和年報.
•受汽車和物聯網無線業務業績的驅動, 2017 年總營收創新高, 為23.3億美元•第四季度的總營收5.975億美元, 同比增長12.7%•第四季度GAAP (美國通用會計準則) 和非GAAP利潤率分別為44.6%和45.4%, 同比分別增長650和530個基點•第四季度GAAP 和非 GAAP 稀釋後的每股收益分別同比增長55% 和87%•2017財年營業現金流為4.035億美元, 同比增長86%
賽普拉斯總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury表示: '賽普拉斯2017年的業績表現強勁, 再創新高. 我們2016年制定了賽普拉斯3.0戰略, 專註於因物聯網的快速普及而迅猛發展的汽車, 工業和消費市場, 給我們帶來了強勁的收入增長. 2017年, 我們的利潤增長了四倍多. 賽普拉斯現已成為物聯網嵌入式解決方案的領導者. 這一成功基於我們在目標終端市場推出的無與倫比的物聯網連接解決方案, 以及豐富的微控制器和高性能存儲器解決方案產品線. '
2017年第四季度和2017財年與上一季度及財年相比的總營收和利潤情況見下表. (單位: 1,000美元, 每股收益數據除外)
1. 參見以下所列的 'GAAP財務指標與非 GAPP財務指標之間的對賬' 表 (非GAPP財務表) . 2. 2016年包含2016年7月5日收購的Broadcom物聯網業務的業績. 3. 截止2016年末12個月的營收包括前Spansion的1875萬美元非美國通用會計準則許可收入.
業務回顧
+賽普拉斯通過推出兩款最新產品擴展了其汽車資訊娛樂解決方案產品組合. 公司宣布推出業內第一款真正的同時雙頻 (RSDB) 汽車級Wi-Fi®和藍芽®combo組合 (combo) 解決方案, 可使多名用戶能夠同時連接設備, 並在各自的設備上獨立實現內容傳輸. 同時, 賽普拉斯還推出了一個新型汽車電容式觸摸屏控制器系列. 該系列為下一代資訊娛樂系統提供了市場上最先進的功能, 包括檢測屏幕上方35毫米以內的手指, 並準確測量多根手指分別施加的不同按壓力度.
+在剛剛閉幕的拉斯維加斯消費電子展上, 賽普拉斯展示了基於其PSoC®6微控制器 (MCU) 的產品. 該產品是業內功耗最低, 最靈活的雙內核MCU, 內置低功耗藍芽 (BLE) 無線連接. PSoC 6專為各種智能家居, 可穿戴設備, 智能音箱, 音響系統和其他物聯網應用而設計.
+賽普拉斯專為物聯網開發的單晶片無線MCU和combo解決方案率先在全球為消費類產品提供通過認證的藍芽mesh連接, LEDVANCE公司的的SYLVANIA SMART +藍芽照明產品採用了這一方案. 賽普拉斯發布了三款無線combo晶片, 以及最新的WICED® 軟體開發套件, 均支援最先進的藍芽mesh網路連接功能. 賽普拉斯解決方案通過簡單, 安全和無處不在的藍芽連接, 實現低成本, 低功耗的設備mesh網路連接, 使設備能夠彼此互相通信, 並與智能手機, 平板電腦和語音控制家庭輔助設備間互通互聯.
+截止2017年12月28日股市閉市時, 賽普拉斯向持有公司普通股的股東支付了3870萬美元的股息, 摺合每股0.11美元. 按2017年12月28日的市值計算, 該股息對應2.9%年化收益率. 該股息已在2018年1月18日支付.
營收概況 (單位: 1,000美元, 百分比除外) (未經審計)
1. 微控制器和互聯部門 ('MCD') 包括微控制器, 汽車和互聯產品; 存儲產品部門 ('MPD') 包括RAM, 快閃記憶體和AgigA Tech產品. 2. 參見以下所列的 'GAAP財務指標與非GAPP財務指標之間的對賬' 表 (非GAPP財務表) . 3. 2016年包含2016年7月5日收購的Broadcom物聯網業務的業績. 4. 截止2016年末12個月的營收包括前Spansion亞太地區, 直銷渠道, MCD業務的1875萬美元遺留非美國通用會計準則許可收入. 5. MCD曆史業績包含Deca Technologies, 追溯至2016年7月29日.
2018年第一季度財務狀況展望
賽普拉斯對2018年第一季度的財務業績狀況預測如下:
在本財報最後的表格中, 提供了按GAAP計算的前瞻性估算數據與按非GAAP計算的前瞻性估算數據之間的對賬情況.
部分按照GAAP計算財務指標所必不可少的重大事項, 包括重組費用, 資產減值, 遞延補償資產和負債價值變化, 因股權獎勵變動導致的股票補償造成的影響以及非GAAP調整對稅收的影響等, 其時間和金額本身不可預測或超出本公司的能力控制範圍之內, 可能對公司的財務業績產生重大影響. 因此, 賽普拉斯在合理努力的情況下可能無法提供對包括在2018年第一季度財務展望數據中的非GAAP財務指標與GAAP財務指標之間的完全定量對賬表. 此外, 2018年第一季度非GAAP業績報告中可能會出現其它修正. 在所附的非GAAP財務指標部分中, 賽普拉斯對非GAAP財務指標與GAAP財務指標之間的預期差異進行了定性描述.