華邦電錶示, 記憶體事業群部份, 2017 年利基型記憶體(Specialty DRAM) 佔全年度營收40%, 營收較前一年度減少8%, 主要系因為產能受限所致. 而行動記憶體(Mobile DRAM) 占的部分則佔全年度營收的13%, 營收較前一年度增加5%, 營收增加的主因在於低容量產品需求增加. 最後, 在快閃記憶體(Flash Memory) 部分, 營收則是佔全年度的47%, 營收較前一年度增加46%, 成長動能來自產能增加及有利的市況所致.
累計, 2017 年全年, 華邦電含其新唐科技等子公司合并營收為475.92 億元, 歸屬母公司淨利為55.51 億元, 每股來到1.54元, 創下17 年來的新高數字. 華邦電總經理詹東義指出, 目前包括DRAM, FLASH 兩大記憶體已經占公司營收比重各半的比例, 成為兩大成長引擎, 這將使得整個公司營運的情況更加看好. 而且, 因為兩項產品同時市況變差的情況不容易, 因此就2018 年的情況來看, DRAM, FLASH 兩大產品的市況仍舊健康, 使得華邦電2018 年也會是穩健成長的狀態.
另外, 詹東義也強調, 在市場多出許多應用, 包括人工智慧, 挖礦機, 汽車電子等領域的情況下, 過去DRAM, 或FLASH 依賴PC 或智慧型手機單一產品成長的情況已經過去, 因此, 整體市場市況仍健康. 而雖然公司也希望能增加產能, 滿足市場上的需求. 但是, 受限於目前台中廠空間已經滿載的情況下, 只能靠著產品組合及製程的優化, 提升部分產能. 華邦電2017 年整體月產能約4.6 萬片, 2018 年預計提升至5.2 萬片. 其中, DRAM, FLASH 全年的產能估計都會增加超過一成的比例.
至於, 在整體資本支出的部分, 華邦電子因應增加產能之所需, 2017 年資本支出152 億元, 2018 年將再提高至185 億元. 而在技術製程的發展上, DRAM 部分, 華邦電自行開發的開發的3X 奈米量產後, 出貨也將逐步增加, 之後也會繼續投入2X 奈米製程的研發. 而在FLASH 產品上, 45 奈米的製程技術研發也將繼續. 在DRAM, FLASH 產品的持續發展下, 詹東義表示, 華邦電未來將不會再被定義成是純DRAM 製造公司.