华邦电表示, 记忆体事业群部份, 2017 年利基型记忆体(Specialty DRAM) 占全年度营收40%, 营收较前一年度减少8%, 主要系因为产能受限所致. 而行动记忆体(Mobile DRAM) 占的部分则占全年度营收的13%, 营收较前一年度增加5%, 营收增加的主因在于低容量产品需求增加. 最后, 在快闪记忆体(Flash Memory) 部分, 营收则是占全年度的47%, 营收较前一年度增加46%, 成长动能来自产能增加及有利的市况所致.
累计, 2017 年全年, 华邦电含其新唐科技等子公司合并营收为475.92 亿元, 归属母公司净利为55.51 亿元, 每股来到1.54元, 创下17 年来的新高数字. 华邦电总经理詹东义指出, 目前包括DRAM, FLASH 两大记忆体已经占公司营收比重各半的比例, 成为两大成长引擎, 这将使得整个公司营运的情况更加看好. 而且, 因为两项产品同时市况变差的情况不容易, 因此就2018 年的情况来看, DRAM, FLASH 两大产品的市况仍旧健康, 使得华邦电2018 年也会是稳健成长的状态.
另外, 詹东义也强调, 在市场多出许多应用, 包括人工智慧, 挖矿机, 汽车电子等领域的情况下, 过去DRAM, 或FLASH 依赖PC 或智慧型手机单一产品成长的情况已经过去, 因此, 整体市场市况仍健康. 而虽然公司也希望能增加产能, 满足市场上的需求. 但是, 受限于目前台中厂空间已经满载的情况下, 只能靠着产品组合及制程的优化, 提升部分产能. 华邦电2017 年整体月产能约4.6 万片, 2018 年预计提升至5.2 万片. 其中, DRAM, FLASH 全年的产能估计都会增加超过一成的比例.
至于, 在整体资本支出的部分, 华邦电子因应增加产能之所需, 2017 年资本支出152 亿元, 2018 年将再提高至185 亿元. 而在技术制程的发展上, DRAM 部分, 华邦电自行开发的开发的3X 奈米量产后, 出货也将逐步增加, 之后也会继续投入2X 奈米制程的研发. 而在FLASH 产品上, 45 奈米的制程技术研发也将继续. 在DRAM, FLASH 产品的持续发展下, 詹东义表示, 华邦电未来将不会再被定义成是纯DRAM 制造公司.