比UFS 2.1性能翻番! UFS 3.0正式發布: 2.9GB/s

1月31日上午消息, 固態技術協會發布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI, 通用快閃記憶體存儲) v3.0標準(JESD220D, JESD223D), 和UFS存儲卡v1.1標準(JESD220-2A).

簡單來說, UFS 3.0引入了HS-G4規範, 單通道頻寬提升到11.6Gbps, 是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍.

由於UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫, 所以介面頻寬最高23.2Gbps, 也就是2.9GB/s.

互聯層設計方面, 嚴格遵守MIPI(移動產業處理器介面)的規範協議, 其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1, 傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8.

其它方面, UFS 3.0支援的分區增多(UFS 2.1是8個), 糾錯性能提升, 電壓2.5V, 支援最新的NAND Flash快閃記憶體介質. 面向工業領域如汽車自動駕駛, 工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度.

至於UFSHCI v3.0規範則面向主控廠商參考, 用於簡化通行設計.

至於UFS存儲卡v1.1, 則實現了對HS-Gear1/2/3的全部相容, 這樣存儲速度就達到最高1.5GB/s.

另外, 三星已經宣布, 將在2018年第一季首發推出UFS 3.0介面的產品. 由於驍龍845, Exynos 9810等尚無證據支援UFS 3.0介面, 所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是主控, 快閃記憶體這類零部件, 暫不得而知.

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