简单来说, UFS 3.0引入了HS-G4规范, 单通道带宽提升到11.6Gbps, 是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍.
由于UFS的最大优势就是双通道双向读写, 所以接口带宽最高23.2Gbps, 也就是2.9GB/s.
互联层设计方面, 严格遵守MIPI(移动产业处理器接口)的规范协议, 其中物理层依据MIPI M-PHY v4.1, 传输层依据MIPI UniProSM v1.8.
其它方面, UFS 3.0支持的分区增多(UFS 2.1是8个), 纠错性能提升, 电压2.5V, 支持最新的NAND Flash闪存介质. 面向工业领域如汽车自动驾驶, 工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度.
至于UFSHCI v3.0规范则面向主控厂商参考, 用于简化通行设计.
至于UFS存储卡v1.1, 则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容, 这样存储速度就达到最高1.5GB/s.
另外, 三星已经宣布, 将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品. 由于骁龙845, Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口, 所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控, 闪存这类零部件, 暂不得而知.