SLC的固態盤在如今的市面上已經是鳳毛麟角, MLC也越來越少, TLC開始成為市場的絕對主流.
1月15日, TheReg撰文, 談到了QLC快閃記憶體的未來和3D NAND之間的關係 , 還是非常有趣的.
QLC顧名思義, 就是4bits Cell, 電訊號存儲的密度更高. 其實早在2009年, SanDisk (閃迪) 就試圖用43nm工藝製造QLC快閃記憶體, 但因為錯誤率奇高, 不得不放棄.
錯誤率是Flash快閃記憶體一座不可避免的大山, 通常的處理方式是主控中加入ECC校驗技術, 即在數據位中插入校驗位.
說到這裡你就明白了, 數據位越少, 出錯率必然越低, 所以從存儲方式上, SLC必然是最扛用的, 其次是MLC, QLC……
同時, 工藝也是如此. 製程越先進, ECC校驗位就要增多, 糾錯難度就越高.
而閃迪之所以搞不定錯誤率這個問題是因為當時3D NAND還沒發展起來, 基於43nm工藝的2D平面來做校驗, 要想數據達到一定的準確率, 要不容量很小, 要不成品尺寸巨大.
而隨著3D NAND的成熟, TLC甚至QLC的未來突然豁然開朗起來. 由於3D構造方式的優勢, 浮柵周圍形成一圈作為支柱通道, 面積增加3倍, 所以30nm做出了90nm的效果, 糾錯難度大大下降.
如圖所示, 同樣是15nm級別, MLC快閃記憶體只需要50個ECC校驗位, 而TLC則需要多達75個.
可在3D QLC快閃記憶體時代, 20個ECC校驗位都綽綽有餘.
Objective Analysis的專業人士Jim Handy撰文指出, 所以, 他說PLC快閃記憶體 (5bits/Cell) 是必然, 因為一個最顯而易見的事實是, 原來1TB QLC SSD立馬增大到1.25TB, 屆時的1元1GB才會有可能.
