SLC的固态盘在如今的市面上已经是凤毛麟角, MLC也越来越少, TLC开始成为市场的绝对主流.
1月15日, TheReg撰文, 谈到了QLC闪存的未来和3D NAND之间的关系 , 还是非常有趣的.
QLC顾名思义, 就是4bits Cell, 电信号存储的密度更高. 其实早在2009年, SanDisk (闪迪) 就试图用43nm工艺制造QLC闪存, 但因为错误率奇高, 不得不放弃.
错误率是Flash闪存一座不可避免的大山, 通常的处理方式是主控中加入ECC校验技术, 即在数据位中插入校验位.
说到这里你就明白了, 数据位越少, 出错率必然越低, 所以从存储方式上, SLC必然是最扛用的, 其次是MLC, QLC……
同时, 工艺也是如此. 制程越先进, ECC校验位就要增多, 纠错难度就越高.
而闪迪之所以搞不定错误率这个问题是因为当时3D NAND还没发展起来, 基于43nm工艺的2D平面来做校验, 要想数据达到一定的准确率, 要不容量很小, 要不成品尺寸巨大.
而随着3D NAND的成熟, TLC甚至QLC的未来突然豁然开朗起来. 由于3D构造方式的优势, 浮栅周围形成一圈作为支柱通道, 面积增加3倍, 所以30nm做出了90nm的效果, 纠错难度大大下降.
如图所示, 同样是15nm级别, MLC闪存只需要50个ECC校验位, 而TLC则需要多达75个.
可在3D QLC闪存时代, 20个ECC校验位都绰绰有余.
Objective Analysis的专业人士Jim Handy撰文指出, 所以, 他说PLC闪存 (5bits/Cell) 是必然, 因为一个最显而易见的事实是, 原来1TB QLC SSD立马增大到1.25TB, 届时的1元1GB才会有可能.
