【漲價】傳英特爾3D NAND攜手紫光?

1, 傳英特爾3D NAND攜手紫光 欲顛覆NAND Flash產業; 2, 電阻開始全面漲價, 元器件遭遇史上最全漲價陣容; 3, 矽谷數模VR整體解決方案協助業界最新一代VR耳機; 4, 光通信器件創業公司芯耘光電完成數千萬元Pre-A輪融資; 5, 投資5億 山東青島微電子創新中心在嶗山區成立; 6, 邳州市40個重大項目總投資277.6億元 涵蓋半導體材料和設備;

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1, 傳英特爾3D NAND攜手紫光 欲顛覆NAND Flash產業;

集微網消息, 1月9日, 英特爾(Intel)宣布與美光(Micron)即將在第三代3D NAND之後分道揚鑣. 今日台灣DIGITIMES報道指出, 業界透露英特爾在3D NAND布局押寶大陸市場, 不僅擴充大陸12吋廠的產能, 後續不排除以技術授權等方式, 加速攜手紫光集團, 屆時恐顛覆NAND Flash產業.

DIGITIMES報道指出, 英特爾在2012年開始陸續退出新加坡廠的股份, 並降低對IM Flash合資廠的持股, 英特爾更開始擴張大陸市場, 將大連廠改裝成3D NAND工廠, 埋下英特爾與美光在3D NAND布局各奔前程的伏筆. 觀察近些年英特爾在NAND Flash的策略, 早已步步疏離美光, 雙方正式宣告離異, 業界並不驚訝. DIGITIMES稱, 紫光集團與英特爾一直有意擴大合作, 傳出有延伸至存儲器產業的跡象, 業界推測英特爾與美光 '分手' 的原因之一, 可看作英特爾大連3D NAND廠與紫光集團展開合作所做的前期布局.

至於兩家公司分道揚鑣的理由, 此前有業界人士分析, 在NAND堆疊層數破百後, 需要調整String Stacking的堆疊方式, 因為雙方對此看法不同, 因而分手. 另外一種可能是, 目前3D NAND的生產主流是電荷儲存式 (Charge trap) , 三星電子等廠商均採用這一方式, 英特爾/美光是唯一採用浮閘 (floating gate) 架構的廠商. 也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲存式架構, 但這相當於承認失敗, 表明從2D NAND轉換成3D NAND後, 選用浮閘是一個錯誤決定, 因而鬧翻.

據DIGITIMES援引NAND Flash產業人士分析, 若英特爾與紫光集團合體進攻3D NAND市場, 這將會是三星, 東芝(Toshiba)等大廠最怕見到的情況, 因為一旦大陸勢力介入現在六強鼎立的3D NAND市場生態, 恐讓市場供需更快速失衡, 陷入供過於求. 站在英特爾角度, 若英特爾引入紫光勢力, 不但可以給三星, 東芝等陣營下馬威, 更可以有條件換取大陸更好的發展空間, 這一招聯陸抗日韓來說是非常不錯的戰術.

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)也發表文章認為, 美光與英特爾未來在獨立開發NAND Flash技術後, 也不排除尋求如中國廠商等其他廠商合作的可能性, 以增加其市場影響力.

據集微網掌握的消息分析, 這一事件應該與紫光集團的關係不大.

據悉, 在3D NAND製程方面, 英特爾和美光已進入第二代產品可堆疊64層, 目前正在研發第三代產品, 預料將可實現96層的堆疊技術, 有望在2018年底, 2019年初問世. 未來, 兩家公司還會繼續共同研發 3D XPoint 存儲器, 此一技術被譽為打破摩爾定律的革命技術.

英特爾強調, 雙方都認為, 獨立之後, 將能抽出更多精力優化自身產品, 服務客戶, 且不會對路線圖和技術節點造成影響. DRAMeXchange也表示, 由於96層3D NAND直到2019年才逐漸成為主流, 分析美光與英特爾拆分結盟的決議要到2020年後才會影響雙方產品的規劃與結構.

2, 電阻開始全面漲價, 元器件遭遇史上最全漲價陣容;

集微網消息, 電子元器件正遭遇史上最全漲價陣容, 記憶體漲完漲MLCC, MLCC漲完漲PCB, 如今電阻也開始全面漲價了. 繼旺詮日前打響2018電阻漲價第一槍後, 國巨也正式宣布貼片電阻漲價!

1月10日, 國巨子公司國益發布貼片電阻售價調整公告函, 公告函稱: 為因應匯率持續升值, 原物料以及人工成本持續上漲等因素, 經多方面的審慎思慮, 我司決定從2018年1月10日開始, 針對以下產品品項新的訂單執行單價調整, 並開始接受新的訂單.

1, 一般厚膜電阻產品 (RC系列) , 尺寸從0402, 0603, 0805, 到1206; 2, 大尺寸厚膜電阻產品 (RC系列) , 尺寸從1210, 1218, 2010, 到2512. 以上品項價格各調漲+15%-+20%, 佔整體電阻份額約45%.

事實上, 國巨旗下國益興業科技於2017年12月26日向代理商發出電阻暫停接單通知, 國宏團—奇力新旗下公司旺詮除暫停代理商接單, 亦在1月2日正式向代銷商發出漲價通知, 由於原材料, 包裝材料價格持續上漲, 針對0402, 0603 0805, 1206系列貼片電阻價格調漲15%, 價格調升之後即日生效, 開出2018年電阻漲價第一槍, 市場預期這是國巨調漲電阻價格的前奏, 果不其然, 國巨電阻開始漲價了.

作為全球第一大晶片電阻 (R-Chip) 製造產, 國巨全球市佔率高達34%, 目前國巨電阻月產能為900億顆. 此番調漲後, 二線廠商們勢必也會跟進, 所以下遊廠商們在備料時一定要提高警惕.

此外, 1月4日, 被動組件製造商光頡科技也發布了關於厚膜電阻售價調整公告函, 由於厚膜電阻材料成本 (包材, 漿料, 電鍍材料, 陶瓷基板) 大幅上漲, 包括CR0603 0805 1206封裝貼片電阻售價將在前售價的基礎上調升10%.

另外, 麗智電子 (崑山) 有限公司也於1月9日向客戶發送產品售價調整通知. 通知稱, 由於原材料價格持續大幅上漲, 導致公司營運成本增加, 公司電阻產品將依據規格調升15%, 即日起執行.

麗智電子(崑山)有限公司創立於1998年, 於2000年在中國崑山設立麗智電子崑山廠. 此前, 崑山曾掀起一場限排環保風暴, 共有270家企業生產受到影響. 其中, 包括厚聲, 旺詮, 麗智等三家電阻企業榜上名, 受限排影響, 這些上榜企業產能或受限制.

業內人士表示, 目前, 貼片電阻的價格漲勢已經開始向MLCC看齊, 市場驅動主要是由汽車和工業市場引起的. 同時, 由於部分電阻廠家無法承受原物料及人工成本的上揚, 紛紛調升出廠價, 這也造成市場上的各類代理商/貿易商漲價, 工廠滿載, 市場卻供不應求, 但這並不能代表終端客戶需求的增長, 目前是否存在炒貨的可能尚不能排除.

3, 矽谷數模VR整體解決方案協助業界最新一代VR耳機;

集微網消息, 矽谷數模半導體公司 (Analogix Semiconductor, Inc.)今日宣布, 其專門的虛擬實境(VR)和擴增實境(AR)顯示控制器系列——SlimPort® ANX753x已成功應用於微軟Windows 10混合實境耳機等最近推出的VR頭戴式顯示器(HMD)中.

ANX753x系列DisplayPort™轉Quad MIPI-DSI控制器配置DisplayPort 1.4輸入和16條DSI通道並且支援HDCP 2.2/1.4高頻寬數位內容保護, 實現了如今大部分高效能VR HMD所需的高解析度, 最高可達120畫面/秒(FPS). 該系列可用於USB-C™和非USB-C應用, 能夠支援多種不同的視訊掃描操作模式.

矽谷數模行銷副總裁Michael Ching表示: 「公司與VR耳機製造商以及VR顯示面板製造商一直保持著密切的合作, 可確保互通性, 同時提供完全符合產業標準的高效能整體解決方案. 憑藉公司在DisplayPort方面的長期經驗, 相信我們的技術和產品將使新一代VR耳機具備真正的高階VR體驗所必需的功率和畫素. 」

ANX753x系列隸屬於一整套商用VR產品, 該套商用VR產品旨在滿足整個VR資料通訊通道的當前和未來需求, 以便在VR來源和HMD之間實現視訊, 資料和功率的高效能可靠傳輸. 矽谷數模整套VR解決方案還包括:

高度整合的埠控制器解決方案, 適用於需要USB-C埠的VR HMD設計. USB-PD 3.0埠控制器ANX7327, 搭載整合式多路分配器, 支援高達10 Gbps的資料交換速率, 可與ANX753x系列結合使用.

單晶片橋接解決方案以及搭載整合式USB-C開關解決方案的重計時器, 適用於使用HDMI和標準DisplayPort等傳統介面的VR系統設計, 以及需要連接至USB-C的VR系統設計:

HDMI 2.0 + USB 3.1轉USBC配接器( ANX7688橋接)DisplayPort 1.4 + USB 3.1轉USB-C配接器(配置USB-C開關的ANX7440重計時器)

訊號完整性極佳的10 Gbps重計時器解決方案, 適用於VR主動式纜線長度延伸應用中所使用的USB-C電纜延伸器( ANX7440, ANX7496和ANX7490 ).

在本周舉行的2018年國際消費電子展(CES® 2018)期間, 矽谷數模將在矽谷數模攤位上進行產品展示(攤位號碼: 20539, 拉斯維加斯會議中心南廳1號展廳) .

4, 光通信器件創業公司芯耘光電完成數千萬元Pre-A輪融資;

集微網綜合報道, 今天XYTech(芯耘光電)宣佈於2017年12月底完成數千萬元Pre-A輪融資, 本次融資由普華資本領投, 中銀浙商產業基金, 士蘭創投和芯禧資本參與跟投.

芯耘光電成立於2016年, 是一家光通信器件製造商. 其主要產品包括長距離光電轉換傳輸晶片, 器件及模組等, 同時還為用戶提供光子整合技術, 矽光100G方案以及數據中心內部高速互聯整體解決方案等.

根據WSTS統計口徑, 全球半導體產業分為四大細分領域, 分別為整合電路, 光電子, 分立器件和感測器, 其中, 光電子是繼整合電路之後的第二大細分領域, 市場規模佔整體半導體產業的比例在7%~10%之間, 並逐年提升, 2016年佔比達到9.4%, 總規模為319億美元.

市場數據預測, 2018年光通信晶片相關市場規模將在105億美元左右. 光通信晶片是光通信企業的核心競爭力, 但我國光晶片行業相對較弱, 以往產品主要集中在中低端領域, 高端光晶片進口依賴嚴重. 從全球光晶片行業競爭格局來看, 以高速率為主要特徵的高端光晶片的生產主要集中在美國和日本企業中, 發展國產自主的光晶片產業和技術勢在必行.

近年來10G以上速率的有源器件和100G光模組等高端產品開始成為研發的重點, 並有所突破. 芯耘光電錶示, 當前晶片將主要用於通信領域, 後期有可能會研發用於車載雷射雷達, 光計算的晶片.

XYTech創始人兼CEO夏曉亮表示, 本輪融資主要用於100G及以上速率的矽光晶片的設計, 流片和封裝技術的開發. 公司旨在完成高端光電子晶片的國產化, 研究矽光子技術, 希望實現高端光晶片國產化.

普華資本管理合伙人沈琴華認為, 整合電路產業是資訊產業的基礎和核心, 是國家戰略性產業, 目前我國高端光晶片還依賴進口, 國產化程度低, 核心晶片的缺失對我國通信產業鏈安全帶來潛在的危機, 因此這領域的投資布局符合國家產業發展的需要.

5, 投資5億 山東青島微電子創新中心在嶗山區成立;

青島新聞網記者1月9日從山東省青島市嶗山區獲悉, 註冊資金5億元的青島微電子創新中心正式成立. 中心位於嶗山區松嶺路的國際創新園二期, 將致力打造微電子公共平台, 揭開青島芯穀新篇章.

微電子產業園

青島微電子創新中心定位於微電子公共平台開發, 運營, 管理, 微電子相關領域產品研發, 生產, 銷售及技術服務, 投資管理, 計算機系統整合和網路工程, 軟體開發, 技術諮詢, 轉讓, 服務, 以及建築工程, 房地產開發, 房屋和場地租賃, 物業管理等.

微電子技術是當今發展最快的高新技術之一, 也是資訊技術的基礎和心臟, 其核心就是晶片的重要組成——整合電路. 當前微電子產業已成為支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性, 基礎性和先導性產業.

近年來, 嶗山區著力打造北部沿海綜合經濟區微電子產業研發高地和青島芯穀, 以國際創新園, 微電子產業園為載體, 大力培育人工智慧, 智能硬體, 移動智能終端, 5G移動通信技術, 先進感測器和穿戴設備等產業成為新的經濟增長點, 從源頭的創新研發, 生產製造, 到產品應用等培育產業發展的良好生態.

僅2017年一年, 嶗山區就出台《嶗山區促進微電子產業發展實施細則》等多項鼓勵政策, 推動微電子產業發展, 並與高通 (中國) 控股有限公司和歌爾股份有限公司簽約成立 '青島芯穀·美國高通·歌爾聯合創新中心' , 推動技術創新與突破, 促進青島當地相關產業的發展. 預計到2022年, 嶗山區微電子產業規模有望達到100億元. (徐愷)

6, 邳州市40個重大項目總投資277.6億元 涵蓋半導體材料和設備;

中國江蘇網1月10日訊 上月30日, 邳州市史福特封裝LED倒裝晶片光源模組項目, 徐州中電熊貓微電子有限公司年產100億隻半導體引線框架項目, 中磁電科非晶材料項目等40個重大項目集中開工, 總投資277.6億元, 涵蓋智能製造, 非晶產業, 現代家居, 半導體材料和設備, 節能環保等領域, 整體呈現產業規模大, 投資能力強, 技術含量高等特點, 這批項目的集中上馬為全市2018年經濟開好頭, 起好步提供了堅實保障.

去年以來, 邳州市深入貫徹落實中央精神和省委, 徐州市委的決策部署, 主動適應新常態, 自覺踐行新理念, 堅定不移推進 '工業立市, 產業強市' , 牢固樹立 '抓項目就是抓發展' 理念, 持續開展項目大突破, 突破大項目活動, 項目招引持續發力, 項目建設強勢推進, '1030' 項目開工率達90%, 15個重大產業項目建成投產, 為全市經濟社會平穩有序向上發展提供強有力的支撐, 躍居全國綜合實力百強縣第38位, 全國工業百強縣第36位. 邳州市現代產業體系加快形成. 招大引強成效顯著, 上達電子, 優視光學, 海鼎新材料等一批旗艦型, 龍頭型項目順利落戶, 25家京派聯盟項目抱團入駐, CEC成功簽約, 全年新落戶企業102家; 重大項目建設強勢推進, '1030' 全年開工率達90%, 影速光電, 金貓機器人, 皇家現代傢具等15個重大產業項目建成投產; 主攻高端的半導體, 智慧的機器人, 迴圈的產業鏈, 現代產業體系逐步形成, 新增省級以上高新技術企業29家, 高新技術產業產值同比增長20.2%, 新興產業實現爆髮式增長. 九個園區板塊承載力不斷增強, 開發區獲批國家火炬特色產業基地, 國家級綠色園區; 高新區獲批國家火炬特色產業基地, 國家級節能標準化試點. '政產學研用金介' 加快融合, 成功舉辦中國電子材料行業發展大會, 第二屆江蘇新材料創新創業論壇, 成立中國微電子研究所徐州研修院, 省新材料產業研究院等創新平台, 獲批省級以上科技創新平台24家. 深入實施 '才富邳州' 計劃, 本土培育國家 '千人計劃' 1人, '萬人計劃' 1人等.

邳州市委書記陳靜說, 邳州市全市上下將以此次集中開工為起點, 始終把發展工業作為壓倒一切的中心工作, 強化 '雙輪' 驅動, '雙特' 保障, '雙創' 提升, '雙百' 引領, '雙承諾' 提速, 迅速掀起新一輪招商引資和項目建設高潮, 全力打造創新創業創優新高地. 希望項目投資方要加大投入力度, 加快建設進度, 推動項目早竣工, 早投產, 早達效; 相關部門要主動服務, 靠前服務, 全程服務, 為項目建設營造良好的環境; 各鎮 (區, 街道) 要主動走出去, 積極引進來, 做到開工一批, 簽約一批, 對接一批, 形成良性梯次配置, 加快形成一批新的經濟增長點, 為譜寫新時代中國特色社會主義的邳州新篇章作出新的更大貢獻.

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