【涨价】传英特尔3D NAND携手紫光?

1, 传英特尔3D NAND携手紫光 欲颠覆NAND Flash产业; 2, 电阻开始全面涨价, 元器件遭遇史上最全涨价阵容; 3, 硅谷数模VR整体解决方案协助业界最新一代VR耳机; 4, 光通信器件创业公司芯耘光电完成数千万元Pre-A轮融资; 5, 投资5亿 山东青岛微电子创新中心在崂山区成立; 6, 邳州市40个重大项目总投资277.6亿元 涵盖半导体材料和设备;

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1, 传英特尔3D NAND携手紫光 欲颠覆NAND Flash产业;

集微网消息, 1月9日, 英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)即将在第三代3D NAND之后分道扬镳. 今日台湾DIGITIMES报道指出, 业界透露英特尔在3D NAND布局押宝大陆市场, 不仅扩充大陆12吋厂的产能, 后续不排除以技术授权等方式, 加速携手紫光集团, 届时恐颠覆NAND Flash产业.

DIGITIMES报道指出, 英特尔在2012年开始陆续退出新加坡厂的股份, 并降低对IM Flash合资厂的持股, 英特尔更开始扩张大陆市场, 将大连厂改装成3D NAND工厂, 埋下英特尔与美光在3D NAND布局各奔前程的伏笔. 观察近些年英特尔在NAND Flash的策略, 早已步步疏离美光, 双方正式宣告离异, 业界并不惊讶. DIGITIMES称, 紫光集团与英特尔一直有意扩大合作, 传出有延伸至存储器产业的迹象, 业界推测英特尔与美光 '分手' 的原因之一, 可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局.

至于两家公司分道扬镳的理由, 此前有业界人士分析, 在NAND堆叠层数破百后, 需要调整String Stacking的堆叠方式, 因为双方对此看法不同, 因而分手. 另外一种可能是, 目前3D NAND的生产主流是电荷储存式 (Charge trap) , 三星电子等厂商均采用这一方式, 英特尔/美光是唯一采用浮闸 (floating gate) 架构的厂商. 也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构, 但这相当于承认失败, 表明从2D NAND转换成3D NAND后, 选用浮闸是一个错误决定, 因而闹翻.

据DIGITIMES援引NAND Flash产业人士分析, 若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场, 这将会是三星, 东芝(Toshiba)等大厂最怕见到的情况, 因为一旦大陆势力介入现在六强鼎立的3D NAND市场生态, 恐让市场供需更快速失衡, 陷入供过于求. 站在英特尔角度, 若英特尔引入紫光势力, 不但可以给三星, 东芝等阵营下马威, 更可以有条件换取大陆更好的发展空间, 这一招联陆抗日韩来说是非常不错的战术.

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)也发表文章认为, 美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后, 也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性, 以增加其市场影响力.

据集微网掌握的消息分析, 这一事件应该与紫光集团的关系不大.

据悉, 在3D NAND制程方面, 英特尔和美光已进入第二代产品可堆叠64层, 目前正在研发第三代产品, 预料将可实现96层的堆叠技术, 有望在2018年底, 2019年初问世. 未来, 两家公司还会继续共同研发 3D XPoint 存储器, 此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术.

英特尔强调, 双方都认为, 独立之后, 将能抽出更多精力优化自身产品, 服务客户, 且不会对路线图和技术节点造成影响. DRAMeXchange也表示, 由于96层3D NAND直到2019年才逐渐成为主流, 分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构.

2, 电阻开始全面涨价, 元器件遭遇史上最全涨价阵容;

集微网消息, 电子元器件正遭遇史上最全涨价阵容, 内存涨完涨MLCC, MLCC涨完涨PCB, 如今电阻也开始全面涨价了. 继旺诠日前打响2018电阻涨价第一枪后, 国巨也正式宣布贴片电阻涨价!

1月10日, 国巨子公司国益发布贴片电阻售价调整公告函, 公告函称: 为因应汇率持续升值, 原物料以及人工成本持续上涨等因素, 经多方面的审慎思虑, 我司决定从2018年1月10日开始, 针对以下产品品项新的订单执行单价调整, 并开始接受新的订单.

1, 一般厚膜电阻产品 (RC系列) , 尺寸从0402, 0603, 0805, 到1206; 2, 大尺寸厚膜电阻产品 (RC系列) , 尺寸从1210, 1218, 2010, 到2512. 以上品项价格各调涨+15%-+20%, 占整体电阻份额约45%.

事实上, 国巨旗下国益兴业科技于2017年12月26日向代理商发出电阻暂停接单通知, 国宏团—奇力新旗下公司旺诠除暂停代理商接单, 亦在1月2日正式向代销商发出涨价通知, 由于原材料, 包装材料价格持续上涨, 针对0402, 0603 0805, 1206系列贴片电阻价格调涨15%, 价格调升之后即日生效, 开出2018年电阻涨价第一枪, 市场预期这是国巨调涨电阻价格的前奏, 果不其然, 国巨电阻开始涨价了.

作为全球第一大芯片电阻 (R-Chip) 制造产, 国巨全球市占率高达34%, 目前国巨电阻月产能为900亿颗. 此番调涨后, 二线厂商们势必也会跟进, 所以下游厂商们在备料时一定要提高警惕.

此外, 1月4日, 被动组件制造商光颉科技也发布了关于厚膜电阻售价调整公告函, 由于厚膜电阻材料成本 (包材, 浆料, 电镀材料, 陶瓷基板) 大幅上涨, 包括CR0603 0805 1206封装贴片电阻售价将在前售价的基础上调升10%.

另外, 丽智电子 (昆山) 有限公司也于1月9日向客户发送产品售价调整通知. 通知称, 由于原材料价格持续大幅上涨, 导致公司营运成本增加, 公司电阻产品将依据规格调升15%, 即日起执行.

丽智电子(昆山)有限公司创立于1998年, 于2000年在中国昆山设立丽智电子昆山厂. 此前, 昆山曾掀起一场限排环保风暴, 共有270家企业生产受到影响. 其中, 包括厚声, 旺诠, 丽智等三家电阻企业榜上名, 受限排影响, 这些上榜企业产能或受限制.

业内人士表示, 目前, 贴片电阻的价格涨势已经开始向MLCC看齐, 市场驱动主要是由汽车和工业市场引起的. 同时, 由于部分电阻厂家无法承受原物料及人工成本的上扬, 纷纷调升出厂价, 这也造成市场上的各类代理商/贸易商涨价, 工厂满载, 市场却供不应求, 但这并不能代表终端客户需求的增长, 目前是否存在炒货的可能尚不能排除.

3, 硅谷数模VR整体解决方案协助业界最新一代VR耳机;

集微网消息, 硅谷数模半导体公司 (Analogix Semiconductor, Inc.)今日宣布, 其专门的虚拟实境(VR)和扩增实境(AR)显示控制器系列——SlimPort® ANX753x已成功应用于微软Windows 10混合实境耳机等最近推出的VR头戴式显示器(HMD)中.

ANX753x系列DisplayPort™转Quad MIPI-DSI控制器配置DisplayPort 1.4输入和16条DSI通道并且支援HDCP 2.2/1.4高频宽数位内容保护, 实现了如今大部分高效能VR HMD所需的高解析度, 最高可达120画面/秒(FPS). 该系列可用于USB-C™和非USB-C应用, 能够支援多种不同的视讯扫描操作模式.

硅谷数模行销副总裁Michael Ching表示: 「公司与VR耳机制造商以及VR显示面板制造商一直保持着密切的合作, 可确保互通性, 同时提供完全符合产业标准的高效能整体解决方案. 凭借公司在DisplayPort方面的长期经验, 相信我们的技术和产品将使新一代VR耳机具备真正的高阶VR体验所必需的功率和画素. 」

ANX753x系列隶属于一整套商用VR产品, 该套商用VR产品旨在满足整个VR资料通讯通道的当前和未来需求, 以便在VR来源和HMD之间实现视讯, 资料和功率的高效能可靠传输. 硅谷数模整套VR解决方案还包括:

高度整合的埠控制器解决方案, 适用于需要USB-C埠的VR HMD设计. USB-PD 3.0埠控制器ANX7327, 搭载整合式多路分配器, 支援高达10 Gbps的资料交换速率, 可与ANX753x系列结合使用.

单晶片桥接解决方案以及搭载整合式USB-C开关解决方案的重计时器, 适用于使用HDMI和标准DisplayPort等传统介面的VR系统设计, 以及需要连接至USB-C的VR系统设计:

HDMI 2.0 + USB 3.1转USBC配接器( ANX7688桥接)DisplayPort 1.4 + USB 3.1转USB-C配接器(配置USB-C开关的ANX7440重计时器)

讯号完整性极佳的10 Gbps重计时器解决方案, 适用于VR主动式缆线长度延伸应用中所使用的USB-C电缆延伸器( ANX7440, ANX7496和ANX7490 ).

在本周举行的2018年国际消费电子展(CES® 2018)期间, 硅谷数模将在硅谷数模摊位上进行产品展示(摊位号码: 20539, 拉斯维加斯会议中心南厅1号展厅) .

4, 光通信器件创业公司芯耘光电完成数千万元Pre-A轮融资;

集微网综合报道, 今天XYTech(芯耘光电)宣布于2017年12月底完成数千万元Pre-A轮融资, 本次融资由普华资本领投, 中银浙商产业基金, 士兰创投和芯禧资本参与跟投.

芯耘光电成立于2016年, 是一家光通信器件制造商. 其主要产品包括长距离光电转换传输芯片, 器件及模块等, 同时还为用户提供光子集成技术, 硅光100G方案以及数据中心内部高速互联整体解决方案等.

根据WSTS统计口径, 全球半导体产业分为四大细分领域, 分别为集成电路, 光电子, 分立器件和传感器, 其中, 光电子是继集成电路之后的第二大细分领域, 市场规模占整体半导体产业的比例在7%~10%之间, 并逐年提升, 2016年占比达到9.4%, 总规模为319亿美元.

市场数据预测, 2018年光通信芯片相关市场规模将在105亿美元左右. 光通信芯片是光通信企业的核心竞争力, 但我国光芯片行业相对较弱, 以往产品主要集中在中低端领域, 高端光芯片进口依赖严重. 从全球光芯片行业竞争格局来看, 以高速率为主要特征的高端光芯片的生产主要集中在美国和日本企业中, 发展国产自主的光芯片产业和技术势在必行.

近年来10G以上速率的有源器件和100G光模块等高端产品开始成为研发的重点, 并有所突破. 芯耘光电表示, 当前芯片将主要用于通信领域, 后期有可能会研发用于车载激光雷达, 光计算的芯片.

XYTech创始人兼CEO夏晓亮表示, 本轮融资主要用于100G及以上速率的硅光芯片的设计, 流片和封装技术的开发. 公司旨在完成高端光电子芯片的国产化, 研究硅光子技术, 希望实现高端光芯片国产化.

普华资本管理合伙人沈琴华认为, 集成电路产业是信息产业的基础和核心, 是国家战略性产业, 目前我国高端光芯片还依赖进口, 国产化程度低, 核心芯片的缺失对我国通信产业链安全带来潜在的危机, 因此这领域的投资布局符合国家产业发展的需要.

5, 投资5亿 山东青岛微电子创新中心在崂山区成立;

青岛新闻网记者1月9日从山东省青岛市崂山区获悉, 注册资金5亿元的青岛微电子创新中心正式成立. 中心位于崂山区松岭路的国际创新园二期, 将致力打造微电子公共平台, 揭开青岛芯谷新篇章.

微电子产业园

青岛微电子创新中心定位于微电子公共平台开发, 运营, 管理, 微电子相关领域产品研发, 生产, 销售及技术服务, 投资管理, 计算机系统集成和网络工程, 软件开发, 技术咨询, 转让, 服务, 以及建筑工程, 房地产开发, 房屋和场地租赁, 物业管理等.

微电子技术是当今发展最快的高新技术之一, 也是信息技术的基础和心脏, 其核心就是芯片的重要组成——集成电路. 当前微电子产业已成为支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性, 基础性和先导性产业.

近年来, 崂山区着力打造北部沿海综合经济区微电子产业研发高地和青岛芯谷, 以国际创新园, 微电子产业园为载体, 大力培育人工智能, 智能硬件, 移动智能终端, 5G移动通信技术, 先进传感器和穿戴设备等产业成为新的经济增长点, 从源头的创新研发, 生产制造, 到产品应用等培育产业发展的良好生态.

仅2017年一年, 崂山区就出台《崂山区促进微电子产业发展实施细则》等多项鼓励政策, 推动微电子产业发展, 并与高通 (中国) 控股有限公司和歌尔股份有限公司签约成立 '青岛芯谷·美国高通·歌尔联合创新中心' , 推动技术创新与突破, 促进青岛当地相关产业的发展. 预计到2022年, 崂山区微电子产业规模有望达到100亿元. (徐恺)

6, 邳州市40个重大项目总投资277.6亿元 涵盖半导体材料和设备;

中国江苏网1月10日讯 上月30日, 邳州市史福特封装LED倒装芯片光源模组项目, 徐州中电熊猫微电子有限公司年产100亿只半导体引线框架项目, 中磁电科非晶材料项目等40个重大项目集中开工, 总投资277.6亿元, 涵盖智能制造, 非晶产业, 现代家居, 半导体材料和设备, 节能环保等领域, 整体呈现产业规模大, 投资能力强, 技术含量高等特点, 这批项目的集中上马为全市2018年经济开好头, 起好步提供了坚实保障.

去年以来, 邳州市深入贯彻落实中央精神和省委, 徐州市委的决策部署, 主动适应新常态, 自觉践行新理念, 坚定不移推进 '工业立市, 产业强市' , 牢固树立 '抓项目就是抓发展' 理念, 持续开展项目大突破, 突破大项目活动, 项目招引持续发力, 项目建设强势推进, '1030' 项目开工率达90%, 15个重大产业项目建成投产, 为全市经济社会平稳有序向上发展提供强有力的支撑, 跃居全国综合实力百强县第38位, 全国工业百强县第36位. 邳州市现代产业体系加快形成. 招大引强成效显著, 上达电子, 优视光学, 海鼎新材料等一批旗舰型, 龙头型项目顺利落户, 25家京派联盟项目抱团入驻, CEC成功签约, 全年新落户企业102家; 重大项目建设强势推进, '1030' 全年开工率达90%, 影速光电, 金猫机器人, 皇家现代家具等15个重大产业项目建成投产; 主攻高端的半导体, 智慧的机器人, 循环的产业链, 现代产业体系逐步形成, 新增省级以上高新技术企业29家, 高新技术产业产值同比增长20.2%, 新兴产业实现爆发式增长. 九个园区板块承载力不断增强, 开发区获批国家火炬特色产业基地, 国家级绿色园区; 高新区获批国家火炬特色产业基地, 国家级节能标准化试点. '政产学研用金介' 加快融合, 成功举办中国电子材料行业发展大会, 第二届江苏新材料创新创业论坛, 成立中国微电子研究所徐州研修院, 省新材料产业研究院等创新平台, 获批省级以上科技创新平台24家. 深入实施 '才富邳州' 计划, 本土培育国家 '千人计划' 1人, '万人计划' 1人等.

邳州市委书记陈静说, 邳州市全市上下将以此次集中开工为起点, 始终把发展工业作为压倒一切的中心工作, 强化 '双轮' 驱动, '双特' 保障, '双创' 提升, '双百' 引领, '双承诺' 提速, 迅速掀起新一轮招商引资和项目建设高潮, 全力打造创新创业创优新高地. 希望项目投资方要加大投入力度, 加快建设进度, 推动项目早竣工, 早投产, 早达效; 相关部门要主动服务, 靠前服务, 全程服务, 为项目建设营造良好的环境; 各镇 (区, 街道) 要主动走出去, 积极引进来, 做到开工一批, 签约一批, 对接一批, 形成良性梯次配置, 加快形成一批新的经济增长点, 为谱写新时代中国特色社会主义的邳州新篇章作出新的更大贡献.

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