北美數據中心需求支撐, Server DRAM漲勢延續

集微網消息, 根據集邦諮詢旗下半導體研究中心調查, 2018年第一季度在供需仍然略為吃緊的狀況下, Server DRAM價格將持續上揚; 同時由於2666Mhz/2400Mhz正式取代2133Mhz的產出, 高頻寬伺服器模組將會逐漸成為市場主流.

自去年第三季度起, Server DRAM隨著北美數據中心建案而供貨吃緊進而帶動整體漲幅, 備貨超出預期. 展望今年上半年, 因DRAM製造商對產能計劃趨於保守, 實質新產能開出時間將會遞延至下半年, 導致上半年供給受限, 整體市場供給仍吃緊, 預期至少今年上半年Server DRAM漲價格局將延續.

從目前Server DRAM報價來看, 除長期協議(Long-Term Agreement)客戶已談定報價外, 在DDR4 32GB RDIMM價格皆已協議在300美元水平, 伺服器二線代工廠將會鎖定在310美元大關, 相較於去年第四季度, 平均季漲幅將維持3-5%.

Server DRAM製程轉進1x納米, 三星產能大幅領先

觀察各廠Server DRAM產出製程, 三星今年的重點將會加速提高18納米製程的投片, 同時SK海力士與美光陣營也分別會開出在18與17納米的製程, 進而提升自家高容量伺服器模組的比重.

若從競爭格局來看, 製程領先的三星, 將會在今年第一季度大幅轉進至18納米的投片量, 18納米製程將佔自家產能逾半的比重, 大幅領先其他DRAM供貨商; 然而, SK海力士與美光則會隨著良率改善而有效率的做產能分配, 預期今年底1x納米製程會佔兩家公司整體產能的三成比重.

此外, 大多數伺服器廠皆已陸續開始驗證DRAM原廠先進位程的樣品, DRAMeXchange預估, 第二季轉進至17與18納米製程的產量會較具規模, 並冀望第四季前17/18納米製程的產品滲透率達到近四成水平, 可預期的是應用於伺服器的高容量模組如32GB DDR4 2666Mhz RDIMM滲透率將提升.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports