北美数据中心需求支撑, Server DRAM涨势延续

集微网消息, 根据集邦咨询旗下半导体研究中心调查, 2018年第一季度在供需仍然略为吃紧的状况下, Server DRAM价格将持续上扬; 同时由于2666Mhz/2400Mhz正式取代2133Mhz的产出, 高带宽服务器模组将会逐渐成为市场主流.

自去年第三季度起, Server DRAM随着北美数据中心建案而供货吃紧进而带动整体涨幅, 备货超出预期. 展望今年上半年, 因DRAM制造商对产能计划趋于保守, 实质新产能开出时间将会递延至下半年, 导致上半年供给受限, 整体市场供给仍吃紧, 预期至少今年上半年Server DRAM涨价格局将延续.

从目前Server DRAM报价来看, 除长期协议(Long-Term Agreement)客户已谈定报价外, 在DDR4 32GB RDIMM价格皆已协议在300美元水平, 服务器二线代工厂将会锁定在310美元大关, 相较于去年第四季度, 平均季涨幅将维持3-5%.

Server DRAM制程转进1x纳米, 三星产能大幅领先

观察各厂Server DRAM产出制程, 三星今年的重点将会加速提高18纳米制程的投片, 同时SK海力士与美光阵营也分别会开出在18与17纳米的制程, 进而提升自家高容量服务器模组的比重.

若从竞争格局来看, 制程领先的三星, 将会在今年第一季度大幅转进至18纳米的投片量, 18纳米制程将占自家产能逾半的比重, 大幅领先其他DRAM供货商; 然而, SK海力士与美光则会随着良率改善而有效率的做产能分配, 预期今年底1x纳米制程会占两家公司整体产能的三成比重.

此外, 大多数服务器厂皆已陆续开始验证DRAM原厂先进制程的样品, DRAMeXchange预估, 第二季转进至17与18纳米制程的产量会较具规模, 并冀望第四季前17/18纳米制程的产品渗透率达到近四成水平, 可预期的是应用于服务器的高容量模组如32GB DDR4 2666Mhz RDIMM渗透率将提升.

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