今年DRAM產能增長10% | 半導體產業 | '三高' | 突破4000億美元關口

集微網消息, 據國際半導體產業協會最新指出, 2017年全球半導體產值將首度突破4000億美元的大關, 而2018年仍會是樂觀成長的一年, 預估半導體產值將成長4%-8%, 且2019年產值將可望挑戰5000億美元關口.

SEMI台灣區產業研究資深經理曾瑞榆表示, 2017年是全球半導體產值破紀錄的一年, 年成長率達20%, 主因是存儲器強勁成長的帶動, 其中, DRAM產值年成長75%, 儲存型快閃記憶體產值(NAND Flash)年成長45%, 其他IC產值年成長9%.

三星, 海力士, 美光擴產 , 今年DRAM產能成長挑戰10%

DRAM和 NAND Flash是這兩年全球半導體產業欣欣向榮的重要推手, 尤其是在2017年全球半導體產值衝破4,000億美元中, 受DRAM漲價潮帶動功不可沒. 據SEMI預估, 在三星電子, SK海力士持續擴展DRAM產能下, 2018年DRAM供給端產能可能成長10%, 這會是較大的成長, 然終端需求也急起直追, 估計到2021年, DRAM年成長率上看30%.

觀察全球DRAM產業三大陣營三星, 海力士, 美光, 其中三星, SK海力士兩大韓系原廠在擴產腳步上加速, 包括三星在南韓平澤(Pyeongtaek)的P1廠房和Line 15生產線, 以及SK海力士的M14生產線; 另外, 美光在廣島的Fab 15和Fab 16也有DRAM擴產計劃, 但目前擴產的主力仍是在韓系兩大廠商. 除了DRAM產業擴產外, 針對NAND產業, 目前有擴產計劃的業者包括三星平澤廠, SK海力士的M14生產線, 美光Lehi和新加坡Fab 10X, 東芝Fab 2/Fab 6, 以及英特爾大連廠(Fab 68)等.

SEMI估計, 2017年DRAM廠設備支出約130億美元, 較2016一年成長了一倍, 預計2018年持續成長至140億美元水準; 2017年NAND產業設備支出約190億美元, 較2016年100億美元有飛躍式成長, 預計2018年NAND產業設備支出上看200億美元.

事實上, 無論是DRAM和NAND陣營對於擴增產能都是滿懷信心, 但不要忽略, 在物聯網, AI, 汽車電子和消費類電子的應用驅動下, 需求端也是呈現井噴式態勢. 2017年半導體的主要成長來源是DRAM, NAND, 感測器, 光電和分離式元件, 預期這些應用今年仍會持續驅動產業成長, 另外, 無線, 車用與消費類電子產品等應用需求也將成長.

半導體產業 '三高' 氣勢旺, 國產化優勢逐步顯現

在2017年全球半導體產值突破4,000美元大關中, 3D NAND大廠, DRAM原廠, 晶圓代工廠三路人馬均在擴產搶佔市場, 這也激發出半導體設備材料產業難得一見的巨大商機, 面對2018年, 整個全球半導體產業將會出現前所未見的欣欣向榮局面.

'六大3D NAND廠, 三大DRAM陣營, 兩岸晶圓代工廠擴產, 帶動2017年晶圓廠設備投資相關支出達570億美元, 創下曆史新高記錄. ' 國際半導體產業協會SEMI預測, 2018年晶圓廠設備投資相關支出更會達到630億美元, 再度攀上高峰!

除了全球半導體產值和半導體設備投資創新高外, 2017年矽晶圓出貨量也出現新高. 此即為2017年半導體產業 '三高' , 分別是產值銷售金額創新高, 設備支出創新高, 矽晶圓出貨量創新高.

綜觀3D NAND, DRAM, 晶圓代工三大陣營的擴產現況, 在3D NAND產業方面, 計劃擴產的有三星平澤廠, SK海力士的M14生產線, 美光Lehi和新加坡Fab 10X, 東芝Fab 2/Fab 6, 以及英特爾大連廠(Fab 68)等; 在DRAM產業方面, 則有三星平澤P1廠房和Line 15生產線, SK海力士M14生產線, 美光廣島的Fab 15和Fab 16.

根據SEMI統計, 2018年DRAM產能增加幅度上看10%; 3D NAND產能成長幅度高達48%; 晶圓代工達5%.

在晶圓代工產業方面, 有12吋廠的擴產計劃的包括台積電衝刺7納米和5納米製程的Fab 12/14/15晶圓廠; 三星的S2和S3; GlobalFoundries的Fab1/8/11; 中芯國際的北京廠B2, 上海新廠, 深圳新廠, 聯電的Fab 12A P5和廈門廠.

受此建廠狂潮, 最大受益者莫過於半導體機台設備商, 尤其是3D NAND產業和20納米以下製程技術大量使用蝕刻(etch)機台, 其次是CVD機台, 相關設備商會最先受惠.

而在全球各地的設備支出金額方面, 2017年韓國受惠三星, SK海力士大力擴產DRAM產能, 韓國以180億美元取代台灣躍升為全球最大的支出市場, 其次是台灣的126億美元; , 此外, SEMI預計, 2018年韓國將持續以169億美元穩居第一, 而中國大陸可能取代台灣, 成為全球第二大設備支出市場.

另值得注意的是, 2018年中國半導體設備材料支出的後勁將會逐步顯現. 由於2018年中國大陸受惠許多去年完工的晶圓廠可望進入設備裝機階段, 因此中國支出金額會有較大成長. 但與過去不同的是, 過去大陸的晶圓廠投資大多來自外來廠商, 而在2018年大陸本土晶圓廠設備支出金額將首次趕上外來廠商水準, 包括長江存儲, 福建晉華, 華力微電子, 合肥長鑫等許多新進業者都計劃在中國大陸大舉投資設廠的計劃, 並且建置, 產業格局將逐步改變.

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