今年DRAM产能增长10% | 半导体产业 | '三高' | 突破4000亿美元关口

集微网消息, 据国际半导体产业协会最新指出, 2017年全球半导体产值将首度突破4000亿美元的大关, 而2018年仍会是乐观成长的一年, 预估半导体产值将成长4%-8%, 且2019年产值将可望挑战5000亿美元关口.

SEMI台湾区产业研究资深经理曾瑞榆表示, 2017年是全球半导体产值破纪录的一年, 年成长率达20%, 主因是存储器强劲成长的带动, 其中, DRAM产值年成长75%, 储存型快闪记忆体产值(NAND Flash)年成长45%, 其他IC产值年成长9%.

三星, 海力士, 美光扩产 , 今年DRAM产能成长挑战10%

DRAM和 NAND Flash是这两年全球半导体产业欣欣向荣的重要推手, 尤其是在2017年全球半导体产值冲破4,000亿美元中, 受DRAM涨价潮带动功不可没. 据SEMI预估, 在三星电子, SK海力士持续扩展DRAM产能下, 2018年DRAM供给端产能可能成长10%, 这会是较大的成长, 然终端需求也急起直追, 估计到2021年, DRAM年成长率上看30%.

观察全球DRAM产业三大阵营三星, 海力士, 美光, 其中三星, SK海力士两大韩系原厂在扩产脚步上加速, 包括三星在南韩平泽(Pyeongtaek)的P1厂房和Line 15生产线, 以及SK海力士的M14生产线; 另外, 美光在广岛的Fab 15和Fab 16也有DRAM扩产计划, 但目前扩产的主力仍是在韩系两大厂商. 除了DRAM产业扩产外, 针对NAND产业, 目前有扩产计划的业者包括三星平泽厂, SK海力士的M14生产线, 美光Lehi和新加坡Fab 10X, 东芝Fab 2/Fab 6, 以及英特尔大连厂(Fab 68)等.

SEMI估计, 2017年DRAM厂设备支出约130亿美元, 较2016一年成长了一倍, 预计2018年持续成长至140亿美元水准; 2017年NAND产业设备支出约190亿美元, 较2016年100亿美元有飞跃式成长, 预计2018年NAND产业设备支出上看200亿美元.

事实上, 无论是DRAM和NAND阵营对于扩增产能都是满怀信心, 但不要忽略, 在物联网, AI, 汽车电子和消费类电子的应用驱动下, 需求端也是呈现井喷式态势. 2017年半导体的主要成长来源是DRAM, NAND, 传感器, 光电和分离式元件, 预期这些应用今年仍会持续驱动产业成长, 另外, 无线, 车用与消费类电子产品等应用需求也将成长.

半导体产业 '三高' 气势旺, 国产化优势逐步显现

在2017年全球半导体产值突破4,000美元大关中, 3D NAND大厂, DRAM原厂, 晶圆代工厂三路人马均在扩产抢占市场, 这也激发出半导体设备材料产业难得一见的巨大商机, 面对2018年, 整个全球半导体产业将会出现前所未见的欣欣向荣局面.

'六大3D NAND厂, 三大DRAM阵营, 两岸晶圆代工厂扩产, 带动2017年晶圆厂设备投资相关支出达570亿美元, 创下历史新高记录. ' 国际半导体产业协会SEMI预测, 2018年晶圆厂设备投资相关支出更会达到630亿美元, 再度攀上高峰!

除了全球半导体产值和半导体设备投资创新高外, 2017年硅晶圆出货量也出现新高. 此即为2017年半导体产业 '三高' , 分别是产值销售金额创新高, 设备支出创新高, 硅晶圆出货量创新高.

综观3D NAND, DRAM, 晶圆代工三大阵营的扩产现况, 在3D NAND产业方面, 计划扩产的有三星平泽厂, SK海力士的M14生产线, 美光Lehi和新加坡Fab 10X, 东芝Fab 2/Fab 6, 以及英特尔大连厂(Fab 68)等; 在DRAM产业方面, 则有三星平泽P1厂房和Line 15生产线, SK海力士M14生产线, 美光广岛的Fab 15和Fab 16.

根据SEMI统计, 2018年DRAM产能增加幅度上看10%; 3D NAND产能成长幅度高达48%; 晶圆代工达5%.

在晶圆代工产业方面, 有12吋厂的扩产计划的包括台积电冲刺7纳米和5纳米制程的Fab 12/14/15晶圆厂; 三星的S2和S3; GlobalFoundries的Fab1/8/11; 中芯国际的北京厂B2, 上海新厂, 深圳新厂, 联电的Fab 12A P5和厦门厂.

受此建厂狂潮, 最大受益者莫过于半导体机台设备商, 尤其是3D NAND产业和20纳米以下制程技术大量使用蚀刻(etch)机台, 其次是CVD机台, 相关设备商会最先受惠.

而在全球各地的设备支出金额方面, 2017年韩国受惠三星, SK海力士大力扩产DRAM产能, 韩国以180亿美元取代台湾跃升为全球最大的支出市场, 其次是台湾的126亿美元; , 此外, SEMI预计, 2018年韩国将持续以169亿美元稳居第一, 而中国大陆可能取代台湾, 成为全球第二大设备支出市场.

另值得注意的是, 2018年中国半导体设备材料支出的后劲将会逐步显现. 由于2018年中国大陆受惠许多去年完工的晶圆厂可望进入设备装机阶段, 因此中国支出金额会有较大成长. 但与过去不同的是, 过去大陆的晶圆厂投资大多来自外来厂商, 而在2018年大陆本土晶圆厂设备支出金额将首次赶上外来厂商水准, 包括长江存储, 福建晋华, 华力微电子, 合肥长鑫等许多新进业者都计划在中国大陆大举投资设厂的计划, 并且建置, 产业格局将逐步改变.

2016 GoodChinaBrand | ICP: 12011751 | China Exports