英特爾盤據24年的全球半導體企業全年銷售額龍頭寶座, 在2017年可能被三星電子(Samsung Electronics)奪下, 在此情況下意謂英特爾將無法達到過去德州儀器(TI)所創下連續25年盤據全球半導體企業年銷售額龍頭的紀錄. 同時, 近期三星傳出因操縱存儲器晶片價格遭大陸國家發展和改革委員會找去 '溝通' , 雖不確定大陸發改委是否會對三星祭出巨額罰金, 但外界分析, 在大陸等存儲器競爭廠商產能紛紛開出下, 漲價已有1年多的存儲器晶片價格在未來可能會出現降價, 只是時間早晚問題. 根據日經(Nikkei)中文網及Electronics Weekly等媒體報導, 三星2017年1~9月半導體銷售額達492億美元, 年增46%, 超越英特爾同期的457億美元銷售額, 年增6%表現, 這顯示出三星受益於全球市場對存儲器晶片的強勁需求, 推動DRAM及NAND Flash價格上揚, 進而帶動三星半導體業務銷售額大增情勢. 即使有匯率因素風險, 預期2017年三星半導體銷售額超越英特爾可望成為定局. 英特爾半導體收益主要來自PC市場, 但隨著全球PC市況持續疲軟, 英特爾半導體銷售也不複見過去的成長態勢. 三星方面, 目前仍持續擴大半導體代工業務, 針對半導體生產設備及研發也投入巨資, 並擁有較高的生產良率, 半導體營收主要仰賴於存儲器晶片銷售, 雖預期未來存儲器晶片需求仍將持續上揚, 但若2018年看到更多廠商增產, 或是三星面臨大陸政府壓力, 都可能導致價格下滑或出現較大波動. DRAM與NAND Flash價格自2016年第4季以來便不斷上漲, 這導致大陸手機及PC製造商受此價格上漲影響, 帶動如手機製造商調升智能手機產品價格, 小米科技(Xiaomi)將某款紅米手機價格調升人民幣100元因應即為一例. 有鑒於三星與SK海力士(SK Hynix)此前表示, 2018年第1季仍將調漲DRAM售價, 加上DRAM與NAND Flash價格自2016年底以來不斷上揚, 基於三星, SK海力士, 美光(Micron)等存儲器大廠過去曾有聯合操縱存儲器價格的案例, 三星並曾遭美國司法部罰款, 如今傳出遭大陸發改委約談也不令外界意外. 德儀在1959~1984年期間曾創下連續25年穩坐全球半導體廠商銷售額寶座紀錄, 這個紀錄如今英特爾很可能將無法達到, 至於三星能否寫下甚至超越這項紀錄, 將值得觀察. 英特爾是在1993年擠下恩益禧(NEC), 登上全球半導體廠商銷售額寶座.
