東芝等大廠陸續宣布擴增NAND Flash產能, 2019年市場恐供過於求

集微網消息, 東芝與西數在2017年經曆長時間的法律訴訟及合資爭議後, 已於2017年12月13日達成和解, 雙方延展合資關係至2029年, 並確保西數在Fab6中能夠參與投資, 延續在96層以後3D-NAND Flash的競爭門票. 東芝隨即在12月21日宣布Fab 7興建計劃, 集邦諮詢半導體研究中心 (DRAMeXchange) 指出, 隨著東芝, 三星, 英特爾, 長江存儲等都將擴增NAND Flash產能, 對NAND Flash產業的影響將在2019年轉趨明顯, 並使得整體產業可望呈現供過於求狀況.

DRAMeXchange指出, 東芝Fab 7有別於以往廠房集中於四日市, 廠址改設在岩手縣北上市, 該廠投入量產的時程將落在2019年下半年後, 主要投產96層以上的3D-NAND Flash, 對整體產出真正產生影響的時間點將落在2020年.

綜觀2018到2020年NAND Flash擴產趨勢, DRAMeXchange指出, 各個陣營皆可說是磨刀霍霍, 除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外, 備受各界關注的長江存儲位於武漢未來城的生產基地也預計於2018年下半年開始營運, 初期投產32層的3D-NAND Flash產品, 並致力64層產品的開發, 以拉近與其他供貨商之間的差距.

除了長江存儲以外, 其他大廠的投資也不惶多讓, 包括英特爾擴建大連廠二期, 為應對旺盛的Server SSD需求, 目標在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash產能. 此外, 三星也將擴建西安廠二期, 持續放大在中國生產3D-NAND Flash的能量. SK海力士則將在韓國清州廠區另外興建一座新廠M15, 同樣以投產96層以上3D-NAND Flash為目標, 預計2019年可正式進入營運.

DRAMeXchange分析指出, 基於各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產能, 在2019年以後3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過於求格局, 而2D-NAND Flash則因供貨商陸續轉產, 僅維持較低比重繼續生產並著重於工規需求, 因此2D-NAND Flash市場走勢將與3D-NAND Flash脫鉤, 逐漸轉變為利基市場.

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