DRAMeXchange指出, 东芝Fab 7有别于以往厂房集中于四日市, 厂址改设在岩手县北上市, 该厂投入量产的时程将落在2019年下半年后, 主要投产96层以上的3D-NAND Flash, 对整体产出真正产生影响的时间点将落在2020年.
综观2018到2020年NAND Flash扩产趋势, DRAMeXchange指出, 各个阵营皆可说是磨刀霍霍, 除东芝刚宣布新建的Fab 7以及已兴建中的Fab 6以外, 备受各界关注的长江存储位于武汉未来城的生产基地也预计于2018年下半年开始营运, 初期投产32层的3D-NAND Flash产品, 并致力64层产品的开发, 以拉近与其他供货商之间的差距.
除了长江存储以外, 其他大厂的投资也不惶多让, 包括英特尔扩建大连厂二期, 为应对旺盛的Server SSD需求, 目标在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash产能. 此外, 三星也将扩建西安厂二期, 持续放大在中国生产3D-NAND Flash的能量. SK海力士则将在韩国清州厂区另外兴建一座新厂M15, 同样以投产96层以上3D-NAND Flash为目标, 预计2019年可正式进入营运.
DRAMeXchange分析指出, 基于各家供货商皆在3D-NAND Flash具体新增产能, 在2019年以后3D-NAND Flash市场预期会再度进入供过于求格局, 而2D-NAND Flash则因供货商陆续转产, 仅维持较低比重继续生产并着重于工规需求, 因此2D-NAND Flash市场走势将与3D-NAND Flash脱钩, 逐渐转变为利基市场.