Phys.org 報導, 複旦大學和中國科學院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關研究人員最近在新的應用物理學快報 (AIP) 期刊上發表了一個關於新型態記憶體的論文.
由於大多數現有的記憶體技術都太過笨重, 無法整合應用在顯示面板上, 研究人員一直都在研究全新的設計和材料, 試圖製造出同樣具有良好性能, 卻能超薄的儲存設備.
在這項新的研究中, 研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」 (MoS2) 的應用, 創造出一種原子級薄度的半導體, 它的電導率 (conductivity) 可以被精細的調整, 進而形成具有高開關電流比的記憶體基礎組件.
除此之外, 團隊也在測試中證實, 這類型記憶體具有運行速度快, 大容量的記憶體空間和優異的保存性, 研究人員估計, 即使處在 85°C (185°F) 的高溫下 10 年, 儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右, 對於實際應用來說仍然足夠.
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性 (photoresponsive) , 這意味著一些性質可以運用光來控制, 為了了解實際應用情況, 團隊也實際進行了相關實驗, 結果他們發現, 當光線照射到已編程的存儲設備上時, 儲存數據被完全消除, 但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用.
合著人 Hao Zhu 表示, 團隊目前正在研究透過編程可控的光脈衝波長和時間, 來大規模整合這種儲存組件. 研究人員相信未來這種儲存設備, 將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色.