Phys.org 报导, 复旦大学和中国科学院微电子研究所的 Long-Fei He 及相关研究人员最近在新的应用物理学快报 (AIP) 期刊上发表了一个关于新型态内存的论文.
由于大多数现有的内存技术都太过笨重, 无法整合应用在显示面板上, 研究人员一直都在研究全新的设计和材料, 试图制造出同样具有良好性能, 却能超薄的储存设备.
在这项新的研究中, 研究人员透过二维过度金属材料「二硫化钼」 (MoS2) 的应用, 创造出一种原子级薄度的半导体, 它的电导率 (conductivity) 可以被精细的调整, 进而形成具有高开关电流比的内存基础组件.
除此之外, 团队也在测试中证实, 这类型内存具有运行速度快, 大容量的内存空间和优异的保存性, 研究人员估计, 即使处在 85°C (185°F) 的高温下 10 年, 储存空间仍可以保存原有的 60% 左右, 对于实际应用来说仍然足够.
过去已有研究证实二硫化钼具有光敏性 (photoresponsive) , 这意味着一些性质可以运用光来控制, 为了了解实际应用情况, 团队也实际进行了相关实验, 结果他们发现, 当光线照射到已编程的存储设备上时, 储存数据被完全消除, 但同时运用电压抹除信息的方式也仍然可以使用.
合着人 Hao Zhu 表示, 团队目前正在研究透过编程可控的光脉冲波长和时间, 来大规模整合这种储存组件. 研究人员相信未来这种储存设备, 将会在系统整合型面板的应用上扮演重要角色.