由北京大學申報的' 5納米碳納米管CMOS器件 '入選.
晶片是資訊時代的基礎與推動力, 現有CMOS技術將觸碰其極限. 碳納米管技術被認為是後摩爾時代的重要選項.
理論研究表明, 碳管晶體管有望提供更高的性能和更低的功耗, 且較易實現三維整合, 系統層面的綜合優勢將高達上千倍, 晶片技術由此可能提升至全新高度.
北京大學電子學系彭練矛教授團隊在碳納米管CMOS器件物理和製備技術, 性能極限探索等方面取得重大突破, 放棄傳統摻雜工藝, 通過控制電極材料來控制晶體管的極性, 抑制短溝道效應, 首次實現了5納米柵長的高性能碳管晶體管, 性能超越目前最好的矽基晶體管, 接近量子力學原理決定的物理極限, 有望將CMOS技術推進至3納米以下技術節點.
2017年1月20日, 標誌性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 為題, 線上發表於《科學》 (Science, 2017, 355: 271-276) ; 被包括IBM研究人員在內的同行在《科學》《自然•納米技術》等期刊24次公開正面引用, 併入選ESI高被引論文. 相關工作被Nature Index, IEEE Spectrum, Nano Today, 《科技日報》等國內外主流學術媒體和新華社報道;
《人民日報》 (海外版) 評價碳管晶體管的 '工作速度是英特爾最先進的14納米商用矽材料晶體管的三倍, 而能耗只是其四分之一' , 意味著中國科學家 '有望在晶片技術上趕超國外同行' , '是中國資訊科技發展的一座新裡程碑' .