由北京大学申报的' 5纳米碳纳米管CMOS器件 '入选.
芯片是信息时代的基础与推动力, 现有CMOS技术将触碰其极限. 碳纳米管技术被认为是后摩尔时代的重要选项.
理论研究表明, 碳管晶体管有望提供更高的性能和更低的功耗, 且较易实现三维集成, 系统层面的综合优势将高达上千倍, 芯片技术由此可能提升至全新高度.
北京大学电子学系彭练矛教授团队在碳纳米管CMOS器件物理和制备技术, 性能极限探索等方面取得重大突破, 放弃传统掺杂工艺, 通过控制电极材料来控制晶体管的极性, 抑制短沟道效应, 首次实现了5纳米栅长的高性能碳管晶体管, 性能超越目前最好的硅基晶体管, 接近量子力学原理决定的物理极限, 有望将CMOS技术推进至3纳米以下技术节点.
2017年1月20日, 标志性成果以Scaling carbon nanotube complementary transistors to 5-nm gate lengths 为题, 在线发表于《科学》 (Science, 2017, 355: 271-276) ; 被包括IBM研究人员在内的同行在《科学》《自然•纳米技术》等期刊24次公开正面引用, 并入选ESI高被引论文. 相关工作被Nature Index, IEEE Spectrum, Nano Today, 《科技日报》等国内外主流学术媒体和新华社报道;
《人民日报》 (海外版) 评价碳管晶体管的 '工作速度是英特尔最先进的14纳米商用硅材料晶体管的三倍, 而能耗只是其四分之一' , 意味着中国科学家 '有望在芯片技术上赶超国外同行' , '是中国信息科技发展的一座新里程碑' .