一張圖看清大陸台灣先進位程差距

集微網消息, 來自digitimes的數據, 中芯國際的技術策略為對先進位程投入研發並儘早導入量產, 由技術藍圖觀察, 14納米FinFET製程計劃於2019年下半導入量產.

中芯28nm製程早於2015年第3季導入量產並對營收產生貢獻, 占營收比重也由2015年第3季0.1%攀升至2017年第3季8.8%, 主要仍來自PolySiON製程, 客戶也僅限於高通.

HKMG製程因良率不佳, 對中芯營收貢獻微乎其微.

中芯規劃於2018年下半推出28納米HKC+平台.

2020年上半台積電規劃量產采極紫外光(EUV)製程的5納米FinFET製程, 屆時台積電與中芯技術差距將拉大至3個世代.

至2017年底, 華力微電子雖仍以55nm製程為主力, 但來自40nm製程占營收比重由2015年7%攀升至2017年25%.

次世代28納米PolySiON製程預估至2018年下半導入量產.

當2019年第4季格芯22納米FD-SOI製程導入量產, 預期對中芯與華力微28納米製程代工價格產生不利影響.

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