集微网消息, 来自digitimes的数据, 中芯国际的技术策略为对先进制程投入研发并尽早导入量产, 由技术蓝图观察, 14纳米FinFET制程计划于2019年下半导入量产.
中芯28nm制程早于2015年第3季导入量产并对营收产生贡献, 占营收比重也由2015年第3季0.1%攀升至2017年第3季8.8%, 主要仍来自PolySiON制程, 客户也仅限于高通.
HKMG制程因良率不佳, 对中芯营收贡献微乎其微.
中芯规划于2018年下半推出28纳米HKC+平台.
2020年上半台积电规划量产采极紫外光(EUV)制程的5纳米FinFET制程, 届时台积电与中芯技术差距将拉大至3个世代.
至2017年底, 华力微电子虽仍以55nm制程为主力, 但来自40nm制程占营收比重由2015年7%攀升至2017年25%.
次世代28纳米PolySiON制程预估至2018年下半导入量产.
当2019年第4季格芯22纳米FD-SOI制程导入量产, 预期对中芯与华力微28纳米制程代工价格产生不利影响.